^(197)Os的合成和衰变  

Synthesis and Decay of ^(197)Os

作　　者：袁双贵[1] 杨维凡[1] 徐岩冰[1] 肖永厚[1] 王贤义[1] 赵力民[1] 王平志[1] 李恒远[1] 

机构地区：[1]中国科学院近代物理研究所,甘肃兰州730000

出　　处：《同位素》2004年第1期1-4,共4页Journal of Isotopes

基　　金：国家自然科学基金资助项目(10075063和10175079);国家重点基础研究发展规划项目(G2000077400)

摘　　要：用14MeV中子轰击Pt,通过198Pt(n,2p)反应产生197Os。用高纯锗探测器观测197Os的衰变γ射线,获得了10条新γ射线,并指定为197Os的衰变,测定它的半衰期为2.8±0.6min。根据γ(X)-γ符合测量,建议一个197Os的部分衰变纲图。By irradiation of platinum with 14 MeV neutrons, ^(197)Os is produced through the reaction (n,2p). The γ rays following the β^- decay of ^(197)Os are investigated with HPGe detectors. The ten new γ rays are observed, and the half-life of ^(197)Os is 2.8±0.6 min. A partial decay scheme of ^(197)Os is proposed based on γ(X)-γ coincidence measurements.

关 键 词：^197Os 锇 Γ射线 半衰期 重丰中子同位素 合成工艺 

分 类 号：O615.5[理学—无机化学]