硫系化合物随机存储器研究进展  

A review and recent progress on C-RAM

作　　者：封松林[1] 宋志棠[1] 刘波[1] 刘卫丽[1] 

机构地区：[1]中国科学院上海微系统与信息技术研究所

出　　处：《微纳电子技术》2004年第4期1-7,39,共8页Micronanoelectronic Technology

基　　金：国家863计划资助项目(2003AA32720);上海市纳米科技与产业发展促进中心资助项目(0352nm016;0359nm004;0252nm084);国家973资助项目(001CB610408);基础研究项目前沿课题(2001CCA02800);上海市科委资助项目(03dz11009)

摘　　要：系统地介绍了硫系化合物随机存储器(C-RAM)的原理、相关材料、研究现状、特点及今后的发展趋势以及中科院上海微系统与信息技术研究所在C-RAM方面的研究进展。C-RAM由于具有高速读取、高可擦写次数、非易失性、元件尺寸小、功耗低和成本低等优点,被认为是最有可能取代目前的FLASH、DRAM和SRAM而成为未来半导体存储器的主流产品。The progress of chalcogenide random access memory(C-RAM)were reviewed systema-tically,including the memory principle,relative materials,current research state and development trend. Finally,the research progress about C-RAM in the Research Center of Functional Semiconductor Film Engineering Technology was introduced. Due to its advantages in high read rate,high write times,nonvolatile,small cell size,low cell energy consumption,and low cost,C-RAM has the capability to replace the conventional FLASH,DRAM,and SRAM and becomes the major semiconductor memory in the future.

关 键 词：硫系化合物随机存储器 Ge2Sb2Te5 纳电子器件 C—RAM 工作原理 

分 类 号：TP333[自动化与计算机技术—计算机系统结构]