Intersubband Transitions of Si δ-Doped GaAs Layer for Different Donor Distribution Models  

作　　者：EmineOZTURK IsmailSOKMEN 

机构地区：[1]DepartmentofPhysics,CumhuriyetUniversity,58140Sivas,Turkey [2]DepartmentofPhysics,DokuzeylulUniversity,Izmir,Turkey

出　　处：《Chinese Physics Letters》2004年第5期930-933,共4页中国物理快报（英文版）

分 类 号：TN201[电子电信—物理电子学]