Pseudo-Spin-Valve Trilayer Using Amorphous CoNbZr Layer： Giant Magnetoresistance, Domain Structures and Potentials for Spin-Electronic Devices  

作　　者：文岐业 张怀武 蒋向东 石玉 唐晓莉 张万里 

机构地区：[1]SchoolofMicroelectronicsandSolid-StateElectronics,UniversityofElectronicScienceandTechnologyofChina,Chengdu610054

出　　处：《Chinese Physics Letters》2004年第5期941-944,共4页中国物理快报（英文版）

分 类 号：O482.5[理学—固体物理]