3,3′,5,5′-四甲基联苯胺在SnO_2:F膜光透电极上的薄层光谱电化学研究  

作　　者：焦奎[1] 杨涛[2] 牛淑妍[1,3] 

机构地区：[1]青岛科技大学化学与分子工程学院 [2]中国海洋大学化学化工学院 [3]中国海洋大学化学化工学院,青岛266003

出　　处：《中国科学（B辑）》2004年第2期105-112,共8页Science in China(Series B)

基　　金：国家自然科学基金资助项目(批准号: 20075013)

摘　　要：3，3′，5，5′-四甲基联苯胺(TMB)在不同pH的B—R缓冲溶液中有不同的电氧化行为．文中以自制的SnO2：F膜光透薄层光谱电化学池对TMB的电氧化性质进行了研究．TMB在pH2．0至pH<4．0的B—R缓冲溶液中为一步两电子电氧化过程，在pH4．0—pH<7．0的B—R缓冲溶液中为分步的两个单电子氧化过程，且在pH6．5时则先为分步的两个单电子过程，随后其氧化产物进一步转化为偶氮化合物．实验中应用了薄层循环伏安法、薄层循环伏安吸收法、薄层恒电位电解吸收光谱法、单电位阶跃计时吸收光谱法、双电位阶跃计时吸收光谱法、单电位阶跃开路弛豫计时吸收光谱法等技术；测得了在各pH值的B—R缓冲溶液中TMB电氧化相应的克式量电位E^0′，电子转移数n以及有关的化学反应速率常数．

关 键 词：3 3′ 5 5′-四甲基联苯胺 SnO2:F膜光透电极 薄层光谱电化学 电氧化 酶联免疫分析 

分 类 号：O657.3[理学—分析化学]