IGCT及IGCT变频器  被引量:7

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作  者:李洪剑[1] 王志强[1] 余世科[1] 

机构地区:[1]705研究所昆明分部,云南昆明650118

出  处:《半导体技术》2004年第5期89-92,共4页Semiconductor Technology

摘  要:IGCT是一种在大功率开关器件GTO基础上改进而成的新型电力电子器件。和GTO相比,IGCT的关断时间降低了30%,功耗降低40%。它是一种不需要吸收电路的开关器件,可以像晶闸管一样导通,像IGBT一样关断,并且具有很低的功率损耗。IGCT在使用时只需将它连接到一个20V的电源和一根光纤上就可以控制它的开通和关断。由于IGCT设计理想,使得IGCT的开通损耗可以忽略不计,再加上它的低导通损耗,使得它可以在以往大功率半导体器件所无法满足的高频率下运行。IGCT可望迅速取代GTO,成为高压变频器的首选器件。

关 键 词:IGCT 变频器 开关器件 功率损耗 集成门极换流晶闸管 

分 类 号:TM564[电气工程—电器] TN32[电子电信—物理电子学]

 

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