薄膜外延生长及其岛核形成的计算机模拟  

作　　者：郑小平[1] 张佩峰[2] 贺德衍[2] 刘军[2] 马健泰[3] 

机构地区：[1]兰州交通大学数理与软件工程学院,兰州730050 [2]兰州大学物理科学与技术学院,兰州730000 [3]兰州大学化学化工学院,兰州730000

出　　处：《中国科学（G辑）》2004年第2期131-140,共10页

基　　金：国家自然科学基金(批准号: 10175030);兰州大学博士后基金资助项目

摘　　要：以Cu膜为例, 用Monte Carlo算法模拟了薄膜生长的随机过程. 找到了生长过程中的三个优化温度, 并研究了它们的渐近一致性, 同时对各种温度区间内表面粗糙度、相对密度随入射率的变化规律进行深入的探讨. 模拟中考虑了一些新的效应, 如原子迁移过程中势能的变化, 以及原子扩散引起的连带效应, 从而使模拟更加合理. 模型中采用了冻结周围原子近似和周期性边界条件处理.

关 键 词：蒙特卡罗算法 薄膜外延生长 岛核 计算机模拟 粗糙度 相对密度 

分 类 号：TB43[一般工业技术]