硅晶体热传导性能的分子动力学模拟  被引量:1

MOLECULAR DYNAMICS STUDY ON THERMAL CONDUCTIVITY OF SILICON CRYSTAL

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作  者:杨决宽[1] 陈云飞[1] 庄苹[1] 蒋开[1] 颜景平[1] 

机构地区:[1]东南大学机械工程系,南京210096

出  处:《工程热物理学报》2004年第3期454-456,共3页Journal of Engineering Thermophysics

基  金:国家自然科学基金(No.50276011;No.50275026)

摘  要:基于硅色散关系的实验值,给出硅晶体导热系数的经典分子动力学模拟所必需的温度、导热系数的量子化修正曲线。应用平衡态分子动力学算法模拟了硅晶体在 300~700 K温度区间内的导热系数,模拟结果表明,理想硅晶体的导热系数比自然硅高60%~75%,但随着温度的下降,模拟结果的准确性下降。The temperature-dependent thermal conductivity of silicon crystal is calculated using equilibrium molecular-dynamics simulation in the temperature range 300~700 K. Quantum correc- tions are introduced in the simulation process to modify the simulation temperature and the thermal conductivity. The results show that the thermal conductivity of silicon crystal is about 60~75 per- cent higher than that of natural silicon, and the precision of the simulation results decreases with the decrease of temperature.

关 键 词:导热系数 分子动力学 晶体硅 

分 类 号:TK124[动力工程及工程热物理—工程热物理] O414[动力工程及工程热物理—热能工程]

 

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