Upgrading design of the 3B1A beamline for x-ray nanometre lithography of microelectronic devices at BSRF  

作　　者：伊福廷 叶甜春 彭良强 陈大鹏 张菊芳 韩勇 

机构地区：[1]InstituteofHighEnergyPhysics,ChinaAcademyofScience,Beijing100039,China [2]InstituteofMicroElectronics,ChinaAcademyofScience,Beijing100029,China

出　　处：《Chinese Physics B》2004年第5期731-736,共6页中国物理B（英文版）

分 类 号：TN205[电子电信—物理电子学] TL5[核科学技术—核技术及应用]