类硅离子精细结构能级和辐射寿命  

Fine-structure energy levels and radiative lifetime in Si-like ions

作　　者：王宛珏[1] 王晓东[2] 裴东[2] 姜仁滨[1] 张军[3] 

机构地区：[1]兰州交通大学数理与软件工程学院,兰州730070 [2]西北师范大学物电学院,兰州730070 [3]新疆大学物理系,乌鲁木齐830046

出　　处：《原子与分子物理学报》2004年第2期215-220,共6页Journal of Atomic and Molecular Physics

基　　金：国家自然科学基金(批准号:69968001)资助项目;西北师范大学青年教师科研基金资助项目。

摘　　要：用全相对论多组态自洽场方法,计算了类硅离子的1s、2s、2p-、2p、3s、3p-、3p、3d-、3d、4s、4p-、4p、4d-、4d、4f-、4f、5s、5p-、5p、5d-、5d、5f-、5f、5g-、5g、6s、6p-、6p轨道的912个精细结构能级和辐射寿命以及各种跃迁参数。能级的计算值和实验值符合得很好。从计算结果中发现了一些亚稳态能级。In this paper, energy levels, radiative lifetime and various transition parameters for allowed transitions among the 912 fine-structure levels belong to the(1s^22s^22p^6) 3s^23p^2,3s^23p3d,3s^23p4l,3s^23p5l and (1s^22s^22p^6) 3s3p^3,3p^4 et al.configurations of the Si-like ions ⅤⅩ and Mo ⅩⅥ have been calculated using the expanded fully relativistic GRASP code. The results are in good agreement with recent experimental data. We have found some long-lived levels.

关 键 词：类硅离子 精细结构能级 辐射寿命 

分 类 号：O562.3[理学—原子与分子物理]