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出 处:《原子与分子物理学报》2004年第2期221-225,共5页Journal of Atomic and Molecular Physics
基 金:安徽省自然科学基金(批准号:03046203);安徽省重点科研项目基金(批准号:00021091);安徽省高校拔尖人才专项基金(批准号:[2003]022)共同资助的课题。
摘 要:在DS3C模型的基础上,对氦原子(e,3-1e)反应的末态He+2场中未探测电子的屏蔽效应进行了研究。计算了(e,3-1e)过程中入射能为640eV时,电子入射双电离He原子的四重微分截面(4DCS);讨论了非一级效应对截面结构的影响。所得结果与其他理论计算进行比较发现:文中结果与最新测量的实验数据较好地吻合。Based on the DS3C model, the screening effects of the unobserved electron in the final state of He^(+2) is further considered for (e,3-1e) processes. The fourfold differential cross sections (4DCS) for electron impact double-ionization (DI) of atomic helium at incident energy of 640 eV in asymmetric geometry are calculated. It has been discussed how the influence of non-first-order effects on the structures of the cross sections. The results of the present are compared with the new measurements and those of other theoretical models. It was found that the present results give a better description for the experimental data.
关 键 词:四重微分截面 (e 3-le)反应 屏蔽效应 非一级效应
分 类 号:O5615[理学—原子与分子物理]
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