YBCO中微结构对J_c的影响及机制  

作　　者：宋祥云[1] 温树林[1] 赵忠贤[2] 赵梅瑜[1] 李承恩[1] 金德玲[1] 

机构地区：[1]中国科学院上海硅酸盐研究所,上海200050 [2]中国科学院物理研究所,北京100080

出　　处：《中国科学（A辑）》1992年第8期834-837,共4页Science in China(Series A)

基　　金：中国科学院高性能陶瓷和微结构开放实验室资助

摘　　要：本文揭示了YBa_2Cu_3O_(7-x)超导陶瓷材料中微结构特征参量与临界电流密度(J_c)以及Cu-O面行为之间的关系.实验用3个样品的T_c均为90K,但他们的J_c分别为30,300和2000A/cm^2.结果表明,l/w≥3晶粒数,含畴晶粒数和平直晶界数这3个微结构特征参量,在YBCO超导材料中起着重要作用.研究结果还表明,这些微结构特征参量与结构中二维Cu-O面的行为密切相关,并且也是解释微结构影响J_c原因的关键.

关 键 词：超导材料 微结构 电流密度 YBCO 

分 类 号：O511.1[理学—低温物理]