A novel technique for predicting ionizing radiation effects of commercial MOS devices  

作　　者：张国强 郭旗 艾尔肯 陆妩 任迪远 

机构地区：[1]InstituteofSemiconductor,ChineseAcademyofSciences,Beijing100083,China [2]XinjiangTechnicalInstituteofPhysicsandChemistry,ChineseAcademyofSciences,Urumqi830011,China

出　　处：《Chinese Physics B》2004年第6期948-953,共6页中国物理B（英文版）

分 类 号：TN303[电子电信—物理电子学]