LPE制作平面型InGaAs/InP APD  

Planar InGaAs/InP APD Grown by LPE

作　　者：郑显明[1] 

机构地区：[1]重庆光电技术研究所,工程师永川632163

出　　处：《半导体光电》1993年第1期41-47,共7页Semiconductor Optoelectronics

摘　　要：叙述了用液相外延(LPE)制作 InGaAsP/InP 雪崩光电二极管(APD)的物理性能。分析了该器件的设计参数。介绍了器件结构、器件制作中 LPE 生长条件及器件性能。最后,评述了器件发展水平及改进意见。This paper reviews physical properties of InGaAs/InP ava- larche photodicdes(APDs)grown by LPE.The optimization design,structure, and fabrication technology are analysed.Finally,the development of the de- vice is presented and approaches toward improvement of these devices are proposed.

关 键 词：半导体材料 LPE APD 外延生长 

分 类 号：TN304.054[电子电信—物理电子学]