用于太阳电池的p-ZnTe/n-CdTe异质结的研究  

Study on p-ZnTe/n-CdTe Heterojunction for Solar Cells

作　　者：吴平[1] 康琳[2] 

机构地区：[1]南京航空学院数理力学系,南京210016 [2]南京大学信息物理系,南京21008

出　　处：《半导体光电》1993年第2期161-166,共6页Semiconductor Optoelectronics

摘　　要：从光电转换的基本原理出发,分析了禁带宽度 Eg、薄膜以及异质结对材料的选择原则。在异质结理论的基础上,分析了 p-ZnTe/n-CdTe 异质结的结区结构,在两种材料的界面处,导带底形成了不连续的“断口”,价带顶 p 区一侧形成尖峰,n 区一侧形成凹口。当热平衡时,由于导带中电子从 n 区到 p 区所遇到的势垒大于价带中空穴从 p 区到 n 区的势垒,所以,通过势垒的主要是空穴流。讨论了 p-Zn-Te/n-CdTe 异质结的制作方法及工艺问题。最后,给出了测试结果。In the view of fundamental theory of optoelectronic effect,the depen- dence of the materials on band gap width Eg,thin film and heterojunction is ana- lyzed.The junction region structure of p-ZnTe/n-CdTe heterojunction is also ana- lyzed on the basis of the heterojunction theory.The faorication technology of the heterojunction is discussed.And the measurement results are given.

关 键 词：太阳电池 化合物半导体 异质结 

分 类 号：TM914.4[电气工程—电力电子与电力传动]