国产炉拉制Φ78～85mm无位错区熔硅单晶中“毛剌”产生的机理及消除方法  

作　　者：黄立新 

机构地区：[1]四川峨眉半导体材料厂,614200

出　　处：《半导体技术》1993年第4期50-53,共4页Semiconductor Technology

摘　　要：本文介绍了在国产设备上试制生产Φ>76.2mm无位错区熔硅单晶过程中多次遇到而又必须解决的常见问题之一——“毛刺”问题.着重讨论了“毛刺”产生的宏观机理,并介绍了为有效地防止“毛刺”产生所采取的各种措施.

关 键 词：单晶炉 单晶控制 毛刺 硅 

分 类 号：TN304.053[电子电信—物理电子学]