砷化镓毫米波器件  

GaAs Millimeter Wave Devices

作　　者：谢自力[1] 

机构地区：[1]电子部第55研究所,南京210016

出　　处：《半导体情报》1993年第4期24-27,共4页Semiconductor Information

摘　　要：叙述了GaAs MESFET、GaAs HEMT和GaAs耿氏器件等新一代GaAs毫米波器件的发展现状。The current status of new GaAs MESFET, GaAs HEMT, GaAs Guun devices are described.

关 键 词：砷化镓 毫米波元件 

分 类 号：TN61[电子电信—电路与系统]