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作 者:于灵敏[1] 范新会[1] 刘春霞[1] 严文[1] 刘建刚[1]
机构地区:[1]西安工业学院材料与化工学院,陕西西安710032
出 处:《材料科学与工程学报》2004年第3期414-416,共3页Journal of Materials Science and Engineering
摘 要:在外加电场的条件下利用物理热蒸发法制备硫化镉晶须 ,借助扫描电子显微镜、X射线能谱分析仪和透射电子显微镜以及X射线衍射仪 ,研究外加电场对硫化镉晶须生长的影响。结果表明硫化镉晶须的生长应遵循氧化物辅助生长机制 ;无论外加电场存在与否 ,沉积温度越高 ,硫化镉晶须越粗越长 ,但是沉积温度对硫化镉晶须的形状没有影响 ;在有电场和无电场条件下的硫化镉晶须的形貌有很大差异 ,外加电场大大促进了硫化镉晶须沿一维方向上的生长 ,这可以由带电团簇模型来解释。CdS whiskers have been successfully prepared by thermal evaporation under the condition of electric field,the dependence of electric field on the growth of CdS whiskers is studied with the help of scanning electron microscope(SEM)、energy disperse X-ray spectroscopy(EDX) attached to SEM,transmission electron microscopy(TEM) and x-ray diffraction spectrometer(XRD).The results show that CdS whiskers can be synthesized by oxide-assisted method;whether the electric field is on or not.The higher the deposition temperature,the bigger the diameter of CdS whiskers is.The two morphologies with electric field and without electric field are quite different,at the same time the electric field promotes preferential growth along the axial direction and accelerates the one-dimensional growth,which can be explained by the charged cluster model(CCM).
关 键 词:硫化镉 电场 带电团簇模型 晶须生长 半导体发光材料
分 类 号:TN304.2[电子电信—物理电子学]
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