神经元晶体管的研究进展  

The Latest Development of Neuron MOS Transistors

作　　者：程玥[1] 许军[1] 

机构地区：[1]清华大学微电子学研究所,北京100084

出　　处：《微电子学》2004年第3期231-234,240,共5页Microelectronics

摘　　要：　神经元晶体管是20世纪90年代初发展起来的一种新型功能器件,具有在栅上对所有输入信号进行加权求和的功能,有广泛的电路应用范围。文章介绍了神经元晶体管的产生背景、基本结构和工作原理;并对其发展现状和未来趋势进行了深入的讨论。As a novel functional device invented by Tadashi Shibata and Tadahiro Ohmi in 1991, neuron MOS transistor has the advantage of calculating weighted sum of all input signals at the gate level, so it can find wide applications. Its background, structure and operation mechanism are elaborated in the paper. Also, its up-to-date applications and developing trends in the future are described.

关 键 词：神经元晶体管 功能器件 加权求和 

分 类 号：TN386.2[电子电信—物理电子学]