闪速存储器的单管多位技术  

The Multi-bit in One Cell Technology for Flash Memory

作　　者：李多力[1] 欧文[1] 

机构地区：[1]中国科学院微电子中心,北京100029

出　　处：《微电子学》2004年第3期241-245,共5页Microelectronics

基　　金：国家重点基础研究专项经费资助项目(G20000365);国家自然科学基金资助项目(60276023)

摘　　要：　为了在现有条件下进一步降低闪速存储器的单位成本,已开发了各种单管多位技术。文章着重介绍了基于浮栅结构的MLC技术和基于SONOS的单管多位技术。To reduce bit cost in the same generation of process, multi-bit in one cell technology has been developed for flash memory. The multi-level cell(MLC) technology based on floating gate device and multi-bit in one cell technology based on SONOS device are described in the paper.

关 键 词：闪速存储器 单管多位技术 多级单元 SONOS 

分 类 号：TN431.2[电子电信—微电子学与固体电子学]