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检 索 范 例 :范例一: (K=图书馆学 OR K=情报学) AND A=范并思 范例二:J=计算机应用与软件 AND (U=C++ OR U=Basic) NOT M=Visual
作 者:古迪 陈志峰[2] 李天乐 王晓芳 陈星源 徐祥福 朱伟玲 Di Gu;Zhifeng Chen;Tianle Li;Xiaofang Wang;Xingyuan Chen;Xiangfu Xu;Weiling Zhu(School of Science,Guangdong University of Petrochemical Technology,Maoming Guangdong;School of Physics and Electronic Engineering,Guangzhou University,Guangzhou Guangdong)
机构地区:[1]广东石油化工学院理学院,广东茂名 [2]广州大学,物理与电子工程学院,广东广州
出 处:《应用物理》2018年第8期375-385,共11页Applied Physics
基 金:国家自然科学基金(61475195);广东省自然科学基金(2015A030313873);广东省高等教育“创新强校工程”专项(2016KTSCX087)。
摘 要:相变存储技术作为下一代极具竞争力的新型存储技术之一,其基础研究也蓬勃发展,但相变存储的机理研究滞后于应用研究。本文在简要介绍相变存储技术和相变机理的基础上,从纳秒级相变机理和超快(皮秒级)相变机理的角度综述了近年来相变存储材料相变机理的主要研究进展,指出了纳秒量级相变源于热效应,而皮秒量级相变可能源于热效应或电子效应,且与材料的尺寸、衬层及激发源密切相关,同时指出了超快相变机理研究中一些值得关注的问题,提出了今后的发展方向。The mechanism study of phase change storage materials still lags behind its applied research. The mechanism of nanosecond-order phase change is related to the thermal effect. However, the mechanism of picosecond-order phase change is still unclear. It might be related to the thermal effect or electronic effect. What is more, the size and substrate of the phase change storage materials and the excitation source have a closely relationship to the phase change mechanism. There is lack of research data about the mechanism study of phase change storage materials and there are seemingly conflicting findings regarding the mechanism, and deepened researches are needed in future.
关 键 词:相变存储 相变机理 热效应 电子效应 PHASE CHANGE MEMORY PHASE CHANGE Mechanism Thermal EFFECT Electronic EFFECT
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