硅团簇Sin(10 ≤ n ≤ 20)的密度泛函理论研究  

Study on the Silicon Clusters Sin (10 ≤ n ≤ 20) by Density Functional Method

作　　者：薛美[1] 赵昕[1] 李秀珍[1] 刘锦[1] 

机构地区：[1]泰山医学院,山东泰安

出　　处：《现代物理》2018年第5期253-258,共6页Modern Physics

基　　金：山东省自然科学基金项目号ZR2013BL013。

摘　　要：用密度泛函理论对Sin (10 ≤ n ≤ 20)团簇的稳定几何构型、电子结构和成键特性进行了系统的理论研究。结果表明当n < 16时,团簇结构中的扁长结构在占主导地位,原子倾向于躺在表面而不是内部;当n ≥ 17时,出现了具有核心原子的类似球形结构。结合能值随着团簇大小的增大而增加,HOMO-LUMO间隙随着团簇尺寸的增加而减小。

关 键 词：硅团簇 密度泛函 几何结构 

分 类 号：O62[理学—有机化学]