C/C材料表面SiC涂层的放电等离子体烧结技术的研究  

Study on SiC Boding Layer of Carbon-Carbon Composites Prepared by Spark Plasma Sintering

作　　者：张向红[1] 于长湖[1] 乔丽娜 黄浩 邵佳慧[1] 宋红霞[1] 盛晓晨 

机构地区：[1]河北建材职业技术学院,河北秦皇岛 [2]燕山大学亚稳材料制备技术与科学国家重点实验室,河北秦皇岛 [3]中国科学院特种无机涂层重点实验室,上海

出　　处：《材料科学》2017年第8期675-680,共6页Material Sciences

基　　金：中国科学院特种无机涂层重点实验室开放课题资助项目(KLICM-2014-06);河北省教育厅高等学校科技计划重点项目(ZD2017073)。

摘　　要：利用各种涂层技术在C/C复合材料制备抗氧化涂层是解决其在高温有氧环境中安全可靠使用的关键问题。本文主要研究了C/C复合材料表面SiC涂层的放电等离子体烧结的制备工艺。结果表明,烧结温度在1200℃~1400℃范围内均可制得与基体结合紧密的SiC涂层;1300℃保温烧结1 min制备的SiC层无裂纹,与基体结合紧密,粒径5~10 µm,并在1400℃的大气气氛下具有良好的抗氧化性能。Various methods are explored to prohibit the oxidation of C/C composites at high temperatures in an oxygen-containing environment. In this paper, spark plasma sintering (SPS) was used to prepare SiC bonding layer on C/C composites. The results show that a dense SiC layer could be obtained at 1200?C^1400?C. SiC bonding layer prepared at 1300?C for 1 min is crack-free, well bonded with the substrate, and the particles size are 5~10 µm. The SiC layer could protect the C/C composites from oxidation at 1400?C effectively.

关 键 词：C/C复合材料 放电等离子体烧结 抗氧化性能 SIC涂层 

分 类 号：TB3[一般工业技术—材料科学与工程]