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作 者:刘兆悦 曾丽娜 许珂 吴奇寒 廖芯 李再金 赵志斌 陈浩 乔忠良 曲轶 刘国军 李林
机构地区:[1]海南师范大学,物理与电子工程学院,海南省激光技术与光电功能材料重点实验室,海南 海口
出 处:《纳米技术》2021年第4期248-257,共10页Hans Journal of Nanotechnology
摘 要:半导体激光器因其效率高、体积小、发光范围广、价格低廉等优势一直作为激光器中最重要、最实用的一类,其中1.5 μm附近是半导体激光器中非常重要的一个波段,目前该波段已经在医疗、激光雷达、光纤通信、保密通信、军工等领域有广泛应用。1.5 μm附近半导体激光器在结构上一般使用分布式反馈型和分布式布拉格光栅型结构,在有源区上,量子阱结构目前发展得最为成熟,量子点结构也在不断研究过程中。本文围绕1.5 μm波段的半导体激光器,主要讨论量子阱激光器和量子点激光器,其中包含DFB和DBR结构,叙述纳米低维结构激光器的技术发展,分析其技术特点,对1.5 μm波段的半导体激光器的技术发展趋势进行了展望。Semiconductor lasers have always beenthe most important and practical class of lasers due to their high efficiency,small size, wide luminous range, and low price. Among them, near 1.5 μm is avery important band in semiconductor lasers. At present, this band has beenwidely used in medical, laser radar, optical fiber communication, confidentialcommunication, military industry and other fields. 1.5 μm nearby semiconductorlasers generally use distributed feedback and distributed Bragg gratingstructures. In the active region, the quantum well structure is currently themost mature, and the quantum dot structure is also in the process of continuousresearch. This article focuses on semiconductor lasers in the 1.5 μm band,mainly discusses quantum well lasers and quantum dot lasers, including DFB andDBR structures, describes the technological development of nano low-dimensionalstructure lasers, analyzes its technical characteristics, and the technicaldevelopment trend of 1.5 μm band semiconductor lasers is prospected.
分 类 号:TN2[电子电信—物理电子学]
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