国家自然科学基金(60276043)

作品数：9被引量：15H指数：3
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相关期刊：《Journal of Semiconductors》《应用激光》《光电工程》更多>>
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相关领域：电子电信机械工程理学更多>>
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掩模投影成像干涉光刻研究被引量：3
《光电工程》2006年第2期1-4,共4页张锦 冯伯儒 刘娟 
国家自然科学基金资助(60276043)
掩模投影成像干涉光刻技术以在很小或几乎不增加光刻系统成本的基础上来提高光刻分辨率为目的,充分利用系统的有限孔径,将掩模图形不同的空间频率分别进行传递,最终以高分辨率对掩模成像。本文阐述了IIL的基本原理,介绍了一种实验系统,...
关键词：投影光刻 成像干涉光刻 微光刻 
采用双向偏置曝光的成像干涉光刻技术被引量：1
《光电工程》2006年第1期1-5,共5页冯伯儒 张锦 刘娟 
国家自然科学基金资助(60276043)
成像干涉光刻技术(IIL)具有干涉光刻技术(IL)的高分辨力和光学光刻技术(OL)产生任意形状集成电路特征图形的能力。在IIL中,按掩模图形的不同空间频率成份分区曝光,并使其在抗蚀剂基片上非相干叠加,得到高分辨抗蚀剂图形。本文在研究一...
关键词：光学光刻 干涉光刻 成像干涉光刻 分辨力增强技术 双向偏置照明 
双光束双曝光与四光束单曝光干涉光刻方法的比较被引量：4
《光电工程》2005年第12期21-24,62,共5页张锦 冯伯儒 郭永康 
国家自然科学基金资助项目(60276043#)
双光束双曝光和四光束单曝光是无掩模激光干涉光刻的两种典型方法,都容易利用现有光刻工艺,在不需掩模和高精度光刻物镜的情况下,用简单廉价光学系统在大视场和深曝光场内形成孔阵、点阵或锥阵等周期性图形。双光束双曝光法得到的阵列...
关键词：干涉光刻 无掩模 双光束双曝光 四光束单曝光 
采用梯形棱镜波前分割的激光干涉光刻技术被引量：2
《应用激光》2005年第5期325-326,338,共3页冯伯儒 张锦 刘娟 
国家自然科学基金资助项目(60276043#)
光学光刻技术在微细加工和集成电路(IC)制造中一直是主流技术。随着IC集成度的提高,要求越来越高的光刻分辨力,但光学光刻的分辨极限受光刻物镜数值孔径(NA)和曝光波长(λ)的限制。激光干涉光刻技术具有高分辨、大视场、无畸变、长焦深...
关键词：激光干涉光刻 波前分割 光刻技术 微细加工 
用相干激光束曝光孔点阵列图形的几种方法
《应用激光》2005年第5期327-328,共2页张锦 冯伯儒 郭永康 刘娟 
国家自然科学基金(60276043#)资助项目
将涂有光致抗蚀剂的硅片或其它光敏材料置于由多束相干光以某种方式组合构成的干涉场中,可以在大视场和深曝光场内形成孔、点或锥阵周期图形,光学系统简单廉价,不需掩模和高精度大NA光刻物镜,采用现行抗蚀剂工艺。文中介绍的双光束双曝...
关键词：激光干涉光刻 无掩模 光刻技术 
成像干涉光刻技术与离轴照明光刻技术的对比分析被引量：4
《Journal of Semiconductors》2005年第7期1480-1484,共5页刘娟 张锦 冯伯儒 
国家自然科学基金资助项目(批准号:60276043)~~
作为分辨率增强技术(RET)之一,离轴照明技术(OAI)通过调整照明方式,不但能提高分辨率还能很好地改善焦深.成像干涉光刻技术(IIL)利用多次曝光分别记录物体空间频率的不同部分,极大地提高了成像质量,其中大角度倾斜照明是对OAI的扩展.从...
关键词：倾斜照明 成像干涉光刻技术 离轴照明技术 光刻技术 
成像干涉光刻技术及其频域分析被引量：3
《光电工程》2004年第10期24-27,共4页刘娟 冯伯儒 张锦 
国家自然科学基金资助(60276043#)
传统光学光刻技术(OL)由于其固有的限制,虽然可对任意图形成像,但分辨力较低。无掩模激光干涉光刻技术(IL)的分辨力可达l /4,却局限于周期图形。成像干涉光刻技术(IIL)结合了二者的优点,用同一个系统分次传递物体不同的空间频率,能更有...
关键词：成像干涉光刻 空间频率 频域分析 
用多光束干涉实现纳米级阵列图形的长焦深光刻被引量：1
《光电工程》2004年第3期8-11,共4页张锦 冯伯儒 郭永康 
国家自然科学基金资助项目(60276043)
用多束相干光适当组合干涉曝光,得到的图形与基片在干涉场内的纵向位置z无关,与x、y位置呈周期关系,光的相干长度对应传统光学光刻的焦深。该方法适合大尺寸基片上纳米级孔、锥阵列图形的制作。模拟了双光束双曝光、三光束单曝光和四光...
关键词：干涉光刻 多光束干涉 焦深 阵列图形 
用于100nm节点ArF准分子激光光刻的相移掩模技术被引量：1
《光电工程》2004年第1期1-4,39,共5页冯伯儒 张锦 宗德蓉 刘娟 陈宝钦 刘明 
国家自然科学基金资助项目 ( 60276043);中国科学院光电技术研究所微细加工光学技术国家重点实验室基金资助课题
用于100nm节点ArF准分子激光光刻的相移掩模(PSM)技术主要有无铬相移掩模(CPM),交替相移掩模(APSM)、衰减相移掩模(AttPSM)和混合相移掩模技术。对这些掩模的基本原理、制作方法及性能比较进行了分析研究。研究表明,无铬相位光刻(CPL)PS...
关键词：激光光刻技术 相移掩模 准分子光刻 无铬相移掩模 交替相移掩模 衰减相移掩模 混合相移掩模 
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