云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- 国家重点基础研究发展计划(2012CB619200)

国家重点基础研究发展计划(2012CB619200): 作品数：20被引量：91H指数：4; 导出分析报告; 相关作者：邵秀梅李雪龚海梅唐恒敬李淘更多>>; 相关机构：中国科学院中国科学院大学上海科技大学吉林女子学校更多>>; 相关期刊：《Optoelectronics Letters》《红外与激光工程》《半导体光电》《海南师范大学学报（自然科学版）》更多>>; 相关主题：暗电流INGAASGA短波红外焦平面更多>>; 相关领域：电子电信理学一般工业技术金属学及工艺更多>>

短波红外InGaAs焦平面探测器研究进展被引量：23: 《红外与激光工程》2020年第1期56-63,共8页李雪邵秀梅李淘程吉凤黄张成黄松垒杨波顾溢马英杰龚海梅方家熊; 国家重点基础研究发展计划(2012CB619200)。; 短波红外InGaAs焦平面探测器具有探测率高、均匀性好等优点,在航天遥感、微光夜视、医疗诊断等领域具有广泛应用。近十年来,中国科学院上海技术物理研究所围绕高灵敏度常规波长(0.9~1.7μm)InGaAs焦平面、延伸波长(1.0~2.5μm)InGaAs焦...; 关键词：INGAAS 焦平面短波红外暗电流探测率

Structure optimization of high indium content InGaAs/InP heterostructure for the growth of In_(0.82)Ga_(0.18)As buffer layer: 《Optoelectronics Letters》2016年第6期441-445,共5页魏秋林郭作兴赵磊赵亮袁德增缪国庆夏茂盛; supported by the National Key Basic Research Program of China(No.2012CB619200);the National Natural Science Foundation of China(No.61474053);the State Key Laboratory for Mechanical Behavior of Materials of Xi'an Jiaotong University(No.20161806);the Natural Science Basic Research Open Foundation of the Key Lab of Automobile Materials,Ministry of Education,Jilin University(No.1018320144001); Microstructure and misfit dislocation behavior in In_xGa_(1-x)As/InP heteroepitaxial materials grown by low pressure metal organic chemical vapor deposition(LP-MOCVD) were analyzed by high resolution transmission elec...; 关键词：indium epitaxial dislocation verified optimize MOCVD HRTEM mismatch scatter arrangement

含有超晶格电子势垒的In_(0.83)Ga_(0.17)As探测器暗电流仿真和验证（英文）被引量：1: 《红外与毫米波学报》2016年第6期662-666,共5页李庆法李雪唐恒敬邓双燕曹高奇邵秀梅龚海梅; Supported by the National Key Basic Research and Development Program of China(2012 CB619200);National Natural Science Foundation of China(61205105,61376052,61475179); 为了获得In_(0.83)Ga_(0.17)As探测器的暗电流机制,采用了TCAD软件对吸收层中含有和不含有超晶格电子势垒的p-i-n结构探测器暗电流特性进行仿真,并开展了器件验证.结果表明,超晶格势垒可以调整器件的能带结构,改变载流子传输特性,降低SR...; 关键词：In0.83Ga0.17As探测器超晶格电子势垒暗电流 TCAD仿真

一种浸没透镜结构HgCdTe红外探测器组件环境适应性研究被引量：2: 《光学与光电技术》2016年第5期89-92,共4页贺香荣陆华杰张亚妮管建安; 国家重点基础研究发展计划“973计划”(2012CB619200);国家自然基金(61475179)资助项目; 探测器采用浸没透镜结构的单元光伏芯片,工作波段为2.5~3.2μm。采用储能焊TO9管壳封装,将二级热电致冷器、热敏电阻、透镜结构的HgCdTe红外探测器封装为一红外探测器组件,组件可在室温至-50℃下工作,经过老炼、力学和热学环境适应性试...; 关键词：HGCDTE红外探测器浸没透镜热电致冷器红外探测器组件密封性

高性能短波红外InGaAs焦平面探测器研究进展被引量：25: 《红外技术》2016年第8期629-635,共7页邵秀梅龚海梅李雪方家熊唐恒敬李淘黄松垒黄张成; 国家重点基础研究发展计划(2012CB619200);国家自然科学基金(61376052;61475179); 中科院上海技物所近十年来开展了高性能短波红外InGaAs焦平面探测器的研究。0.9~1.7mm近红外In Ga As焦平面探测器已实现了256×1、512×1、1024×1等多种线列规格,以及320×256、640×512、4000×128等面阵,室温暗电流密度<5 n A/cm^2...; 关键词：INGAAS 焦平面短波红外暗电流探测率

不同退火处理的台面型In_(0.83)Ga_(0.17)As pin光电二极管暗电流分析（英文）被引量：1: 《红外与激光工程》2016年第5期75-80,共6页李平李淘邓双燕李雪邵秀梅唐恒敬龚海梅; 国家973项目(2012CB619200);国家自然科学基金(61205105;61007067;61475179); 为了研究延伸波长In0.83Ga0.17As pin光电二极管的暗电流机制。采用两种不同工艺制备了台面型延伸波长In0.83Ga0.17As pin光电二极管。第一种工艺(M135L-5)是:台面刻蚀后进行快速热退火(RTA)。第二种工艺(M135L-3)是:台面刻蚀前进行快...; 关键词：快速热退火延伸波长 INGAAS 暗电流

n-on-p结构深台面延伸波长InGaAs探测器的ICPCVD钝化工艺: 《红外与毫米波学报》2016年第1期47-51,共5页石铭邵秀梅唐恒敬李淘黄星曹高奇王瑞李平李雪龚海梅; 国家重点基础研究发展计划资助973项目(2012CB619200);国家自然科学基金(61205105;61376052和61475179)~~; 采用ICP刻蚀(inductively coupled plasma etching)工艺制备了深台面n-on-p结构的可响应到2.4μm的延伸波长8×1元线列In Ga As探测器.器件表面采用ICP源激发的N2等离子体进行处理,然后再使用ICPCVD(inductively coupled plasma chemica...; 关键词：INGAAS ICPCVD 暗电流 n-on-p 钝化

异质结InP/InGaAs探测器欧姆接触温度特性研究: 《红外与毫米波学报》2015年第6期721-725,共5页曹高奇唐恒敬李淘邵秀梅李雪龚海梅; 国家重点基础研究发展计划973项目(2012CB619200);国家自然科学基金(61205105)~~; 为了研究异质结InP/InGaAs探测器帽层的欧姆接触特性,采用Au/p-InP传输线模型(TLM),对比不同退火温度下的接触特性,在480℃、30 s的退火条件下实现室温比接触电阻为3.84×10^(-4)Ω·cm^2,同时,对欧姆接触的温度特性进行了研究,发现随...; 关键词：p-InP 欧姆接触比接触电阻扫描电子显微镜(SEM) X射线衍射仪(XRD)

延伸波长InGaAs焦平面用低失调电压输入级电路研究: 《半导体光电》2015年第6期884-887,共4页张雪黄松垒黄张成; 国家"973"计划项目(2012CB619200);国家自然科学基金项目(61306064); 截止波长为2.5μm的延伸波长InGaAs探测器在航天航空遥感等领域有着重要应用。由于晶格失配,相同温度下它的暗电流比截止波长为1.7μm的常规InGaAs探测器高2～3个数量级。从焦平面的耦合接口出发,研究了一种新型的Autozero输入级电路,...; 关键词：延伸波长暗电流失调电压自调零开关漏电流

短波红外In_(0.53)Ga_(0.47)As探测器的实时γ辐照研究被引量：2: 《半导体光电》2015年第6期901-904,共4页黄星李雪李淘唐恒敬邵秀梅龚海梅; 国家"973"计划项目(2012CB619200);国家自然科学基金项目(61205105;61376052); 空间应用短波红外InGaAs探测器的性能不断提高,对辐照损伤越来越敏感。通过实时测试的方法,研究了不同剂量和不同剂量率的γ辐照对晶格匹配In0.53Ga0..47As探测器电流-电压特性的影响。发现在反向偏压下,辐照在器件中引起的光电流约为2n...; 关键词：红外探测器铟镓砷空间应用 Γ辐照暗电流

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