湖南省教育厅科研基金(10C1235)

作品数:1被引量:3H指数:1
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相关机构:中南大学湘南学院华中师范大学更多>>
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圆锥形图形化蓝宝石衬底对MOCVD生长GaN外延膜的位错密度和应力应变影响被引量:3
《中国科学:物理学、力学、天文学》2013年第11期1519-1524,共6页王焕友 李亚兰 谢光奇 李明君 
湖南省教育厅科研基金(编号:10C1235);湖南省自然科学基金(编号:13JJ3121)资助项目
通过金属氧化物化学气相沉积(MOCVD)方法在2.5 m×1.6 m×0.5 m圆锥形图形化蓝宝石衬底(CPSS)和没有图形化平面蓝宝石衬底(USS)上生长GaN外延膜.高分辨率X射线衍射仪(HRXRD)测试结果表明,生长在CPSS上GaN的刃位错的密度比生长在USS上Ga...
关键词:圆锥形图形化蓝宝石衬底 氮化镓 线位错 应力应变 
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