北京市科委重大项目(D0404003040221)

作品数：25被引量：53H指数：3
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Ⅴ/Ⅲ对P型GaP掺杂及红光LED量子效率的影响
《光电子．激光》2009年第7期867-869,共3页丁亮 李建军 康玉柱 于晓东 邓军 韩军 沈光地 
国家自然科学基金资助项目(60506012);北京市科委重点资助项目(D0404003040221);北京市人才强教计划资助项目(05002015200504);北京工业大学第六届研究生科技基金资助项目
利用低压金属有机物化学气相沉积(LP-MOCVD),对红光发光二极管(LED)的窗口层掺杂进行研究。分别在Ⅴ/Ⅲ比为13、26和52的情况下生长GaP材料,结果发现,Ⅴ/Ⅲ比影响Mg的掺杂浓度和载流子迁移率。在上述Ⅴ/Ⅲ比下生长的GaP,外延生长出红光...
关键词：红光发光二极管(LED) 金属有机物化学气相沉积(MOCVD) GAP Ⅴ/Ⅲ比 
隧道再生半导体激光器内部温度场的三维分布被引量：1
《功能材料与器件学报》2008年第4期815-820,共6页张蕾 崔碧峰 段天利 马楠 郭伟玲 王智群 沈光地 
国家重点基础研究发展计划资助(批准号:2006CB604902);国家"863"计划(批准号:2004AA311030);十五国家科技攻关项目(批准号:2003BA316A01-01-08);国家自然科学基金(批准号:60506012);北京市科委重点项目(批准号:D0404003040221);北京市教委项目(批准号:kz200510005003);北京市人才强教计划项目(05002015200504)
针对隧道再生半导体激光器,建立了内部热源分布模型,利用有限元方法模拟计算了两有源区隧道再生半导体激光器瞬态和稳态三维温度分布。瞬态模拟结果表明,加电后几个s的时间内两个有源区的温升很小,在几个s到几十个ms的时间内温度上升很...
关键词：半导体激光器 三维温度分布 瞬态 稳态 隧道再生 
隧道再生半导体激光器的三维稳态热特性研究被引量：1
《半导体光电》2008年第2期177-180,共4页张蕾 崔碧峰 郭伟玲 王智群 沈光地 
国家“973”计划项目(2006CB604902);国家“863”计划项目(2004AA311030);十五科技攻关项目(2003BA316A01-01-08);国家自然科学基金(60506012);北京市科委重点项目(D0404003040221);北京市教委项目(kz200510005003);北京市人才强教计划项目(05002015200504)
针对隧道再生半导体激光器,建立了内部的热源分布模型,利用有限元方法模拟计算得到了两有源区隧道再生半导体激光器稳态三维温度分布。模拟结果表明,靠近衬底的有源区的光出射腔面中心的温度最高。在平行于结的方向上,温升集中在脊形电...
关键词：半导体激光器 三维温度分布 稳态 隧道再生 
隧道再生半导体激光器热弛豫积累过程研究被引量：2
《固体电子学研究与进展》2008年第1期91-94,共4页张蕾 崔碧峰 沈光地 郭伟玲 刘斌 王智群 
国家重点基础研究发展计划(批准号:2006CB604902);国家“863”计划(批准号:2004AA311030);十五国家科技攻关项目(批准号:2003BA316A01-01-08);国家自然科学基金(批准号:60506012);北京市科委重点项目(批准号:D0404003040221);北京市教委项目(批准号:kz200510005003);北京市人才强教计划项目(05002015200504)
针对隧道再生半导体激光器,建立了内部的热源分布模型。利用有限元方法模拟计算得到了两有源区隧道再生半导体激光器在不同占空比下工作时的热弛豫积累过程。模拟结果表明,芯片达到平衡前的热弛豫积累时间和达到热平衡时的温度均随注入...
关键词：半导体激光器 热弛豫积累 隧道再生 两有源区 占空比 
p-InGaN与Ni/Au的欧姆接触特性研究
《固体电子学研究与进展》2008年第1期87-90,共4页林巧明 郭霞 梁庭 顾晓玲 郭晶 沈光地 
国家973计划(2006CB604902);北京市人才强教计划项目(05002015200504);北京市教委项目(kz200510005003);北京市科委重点项目(D0404003040221);国家自然科学基金(60506012);十五国家科技攻关项目(2003BA316A01-01-08)
通过对不同厚度的p-InGaN样品进行环形传输线欧姆接触实验,发现p-InGaN与Ni/Au的比接触电阻随InGaN层厚度的增大而增大,且当InGaN层的厚度小于某一特定值时,其比接触电阻低于p-GaN与Ni/Au的欧姆比接触电阻,通过分析认为这是由InGaN层的...
关键词：铟镓氮 欧姆接触 环形传输线 极化 
双有源区隧道再生半导体激光器温度场分布研究被引量：7
《半导体光电》2007年第6期761-765,共5页张蕾 崔碧峰 黄宏娟 郭伟玲 王智群 沈光地 
国家"973"计划资助项目(2006CB604902);国家"863"计划项目(2004AA311030);国家自然科学基金项目(60506012);北京市科委重点项目(D0404003040221);北京市教委项目(kz200510005003);北京市人才强教计划项目(05002015200504)
针对隧道再生半导体激光器,建立了内部的热源分布模型,分析了三种封装方式对芯片内部温度分布的影响;模拟结果表明加电后几微秒的时间内,芯片内温度场分布主要由隧道再生结构的热特性决定,与封装形式关系不大;在几微秒到几十或一百毫秒...
关键词：半导体激光器 二维温度分布 瞬态 稳态 隧道再生 封装 
LD条宽对激射波长影响的研究被引量：1
《光电子．激光》2007年第9期1033-1035,共3页罗丹 徐晨 郭伟玲 舒雄文 田增霞 沈光地 
国家"973"计划资助项目(20000683-02);北京市教委资助项目(2002kj018);北京市科委重点资助项目(D0404003040221);北京市人才强教计划资助项目(05002015200504);北工大博士启动基金资助项目(kz0204200387)
报道了LD激射波长会随条宽发生明显变化。对有相同外延生长结构和制作工艺、不同条宽的960nmLD的激射波长进行研究发现,条宽为130、100、75和50μm的器件的激射波长依次变短。进一步分析认为,这是因为条宽变窄导致器件阈值电流密度、阈...
关键词：激射波长 LD 条宽 阈值载流子密度 阈值电流密度 
焊料空隙对条形量子阱激光器温度分布的影响被引量：5
《中国激光》2007年第9期1203-1207,共5页张蕾 崔碧峰 黄宏娟 郭伟玲 王智群 沈光地 
国家973计划(2006CB604902);国家863计划(2004AA311030);十五国家科技攻关项目(2003BA316A01-01-08);国家自然科学基金(60506012);北京市科委重点项目(D0404003040221);北京市教委项目(kz200510005003);北京市人才强教计划项目(05002015200504)资助课题
针对量子阱半导体激光器建立了内部的热源分布模型,利用有限元方法模拟计算得到了条形量子阱半导体激光器的三维稳态温度分布,分析了芯片与热沉间的焊料空隙对芯片内部稳态温度分布的影响.模拟结果表明焊料空隙的位置和尺寸都将影响到...
关键词：激光技术 半导体激光器 三维温度分布 焊料空隙 
两基色白光LED的配色研究被引量：2
《固体电子学研究与进展》2007年第4期567-571,共5页张蕾 郭霞 沈光地 刘诗文 梁庭 王惠 
国家"863"计划(批准号:2004AA311030);十五国家科技攻关项目(批准号:2003BA316A01-01-08);国家自然科学基金(批准号:60506012);北京市科委重点项目(批准号:D0404003040221);北京市教委项目(批准号:kz200510005003)
从色度学原理出发,简述了两基色白光LED的配色原理,确定了可合成白光的两基色的选取范围和两基色的配比范围,计算分析了两基色白光LED的光视效能和一般显色指数。两基色白光LED具有较高的光视效能,但其显色性却较差,主波长为450 nm左右...
关键词：白光发光二极管 两基色 配色 光视效能 显色指数 
GaN基蓝光发光二极管峰值波长偏移的研究被引量：10
《半导体光电》2007年第3期338-341,共4页林巧明 郭霞 顾晓玲 梁庭 郭晶 沈光地 
国家"973"计划资助项目(2006CB604902);北京市教委项目(kz200510005003);北京市科委重点项目(D0404003040221);国家自然科学基金项目(60506012);"十五"国家科技攻关项目(2003BA316A01-01-08);北京市人才强教计划项目(05002015200504)
通过对蓝光和红光发光二极管在直流和脉冲电流两种情况下进行变电流测试,对其峰值波长的偏移情况进行了深入的对比分析和研究,指出主要是热效应和极化效应两个因素造成蓝光LED的峰值波长发生偏移,并计算出热效应单独引起峰值波长偏移的...
关键词：GAN 发光二极管 峰值波长 热效应 极化 
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