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国家自然科学基金(60437030): 作品数：47被引量：73H指数：5; 导出分析报告; 相关作者：熊绍珍孟志国吴春亚李娟赵淑云更多>>; 相关机构：南开大学香港科技大学科技部五邑大学更多>>; 相关期刊：《Optoelectronics Letters》《光电子技术》《Chinese Physics B》《电子学报》更多>>; 相关主题：多晶硅多晶硅薄膜MIC薄膜晶体管多晶硅薄膜晶体管更多>>; 相关领域：电子电信理学电气工程自动化与计算机技术更多>>

利用碳糊成膜法改进CdTe太阳电池背处理工艺被引量：1: 《光电子．激光》2011年第8期1157-1161,共5页罗翀李娟李翔姚素英熊绍珍; 国家"863"计划资助项目(2004AA303570);国家重点自然科学基金资助项目(60437030); 提出一种新型的制备CdTe太阳电池背接触方法。利用碳糊成膜法,将含Cu、Te的CdCl2浆状悬浊液涂覆在CdTe表面,只进行一次后退火,X射线衍射(XRD)、二次质子谱(SIMS)测试发现,就能同时达到CdCl2后处理的作用、形成CuxTe的缓冲层和降低背接...; 关键词：CDTE太阳电池背接触碳糊成膜法

Hydrogen passivation for the performance enhancement of poly-Si crystallized by double-frequency YAG laser: 《Optoelectronics Letters》2010年第4期288-290,共3页李娟丁思维姚颖罗翀孟志国吴春亚熊绍珍张志林郭海诚; supported by the National High Technology Research and Development Program of China (No.2008AA03A335);the National Natural Science Foundation of China (No. 60437030);the Key Laboratory of Advanced Display and System Applications (Shanghai University),Ministry of Education of China (No.P200903); The hydrogen passivation is adopted to enhance the performance of poly-Si crystallized by YAG laser annealing(LA polySi).The effects of passivation time,passivation power and passivation temperature on the hall mobili...; 关键词：YAG激光器性能增强氢钝化结晶双频率聚硅激光退火多晶硅

不同有源层厚度的多晶硅薄膜晶体管特性研究: 《兵器材料科学与工程》2010年第4期4-7,共4页李阳; 国家自然科学基金(批准号:60437030); 多晶硅薄膜晶体管(poly-Si TFT)因较非晶硅薄膜晶体管(a-Si TFT)相比具有更高的场效应迁移率而成为目前显示界研究的热点。在制备多晶硅薄膜及其TFT器件的过程中,发现不同厚度的多晶硅薄膜具有不同的电学特性。经分析,不同厚度的多晶硅...; 关键词：薄膜晶体管多晶硅薄膜有源层电学特性

用镍硅氧化物源横向诱导晶化的多晶硅薄膜被引量：2: 《物理学报》2010年第4期2775-2782,共8页刘召军孟志国赵淑云郭海成吴春亚熊绍珍; 国家自然科学基金重点项目(批准号:60437030);天津市自然科学基金(批准号:05YFJMJC01400)资助的课题~~; 采用磁控溅射法,以镍硅合金为靶,制备了一种适用于金属诱导横向晶化的氧化物镍源——自缓释镍源.该镍源在内部构成和晶化现象上都不同于纯金属镍源.采用该镍源制备低温多晶硅材料,晶化速率不明显依赖于镍源薄膜的厚度,且晶化多晶硅膜内...; 关键词：自缓释金属诱导横向晶化多晶硅薄膜低温制备与退火

退火温度对TiO_2纳米薄膜酒精气敏特性影响的研究(英文): 《光子学报》2009年第8期2019-2023,共5页李阳; Supported by National Natural Science Foundation of China(60437030); 采用直流磁控溅射的方法在Al2O3陶瓷管、硅基片上溅射制备了二氧化钛(TiO2)纳米薄膜材料.将薄膜样品放入管式退火炉中分别在500℃,700℃和1100℃温度下退火.由于退火温度的不同,薄膜的晶体结构、晶粒尺寸、晶向以及气敏特性都有所不同....; 关键词：二氧化钛纳米薄膜退火温度乙醇气敏特性

Tricolor microcavity OLEDs based on P-nc-Si:H films as the complex anodes: 《Journal of Semiconductors》2009年第6期42-47,共6页李阳刘星元吴春亚孟志国王忆熊绍珍; supported by the National High Technology Research and Development Program of China(No.2004AA303570);the National Natural Science Foundation of China (No. 60437030); A P^＋-nc-Si：H film（boron-doped nc-Si：H thin film） was used as a complex anode of an OLED.As an ideal candidate for the composite anode,the P^＋-nc-Si：H thin film has a good conductivity with a high work function...; 关键词：P^＋-nc-Si：H thin film organic light emitting display MICROCAVITY TRICOLOR

溶液法铝诱导晶化制备多晶硅薄膜被引量：1: 《物理学报》2009年第9期6560-6565,共6页罗翀孟志国王烁熊绍珍; 国家高技术研究发展计划(批准号:2004AA303570);国家自然科学基金(批准号:60437030)资助的课题~~; 采用铝(Al)盐溶液作为诱导源进行了非晶硅晶化成多晶硅的研究.光学显微镜观测与Raman光谱分析表明,合适配比的铝盐溶液能够将非晶硅予以诱导晶化.采用剥层XPS测试分析,探究了Al盐溶液与硅表面可能的化学反应以及随之发生的硅-铝层交换...; 关键词：铝诱导晶化多晶硅薄膜溶液法

纳米硅薄膜复合阳极的绿色微腔式OLED的研究被引量：2: 《光子学报》2009年第4期813-817,共5页李阳刘星元吴春亚孟志国王忆熊绍珍; 国家高技术研究发展计划"863"平板显示专项(2004AA303570);国家自然科学基金重点基金(60437030)资助; 采用甚高频增强型等离子体化学气相沉积技术,通过优化薄膜的沉积条件制备出高性能的P-nc-Si∶H薄膜材料(σ=5.86S/cm、Eopt>2.0eV).通过XRD测量计算出薄膜<111>、<220>和<311>三个晶向上的晶粒大小分别为15nm、17nm和21nm;通过Raman测量...; 关键词：P型掺杂纳米硅薄膜聚合物有机电致发光器件微腔

Solution-based metal induced crystallization of a-Si: 《Chinese Physics B》2009年第3期1237-1241,共5页吴春亚李学冬赵淑云李娟孟志国熊绍珍张芳; supported by Key Project of National Natural Science Foundation of China (Grant No 60437030);"863" Project of National Ministry of Science and Technology of China (Grant No 2004AA33570);Tianjin Natural Science Foundation of China (Grant No 05YFJMJC01400); This paper investigates a simplified metal induced crystallization （MIC） of a-Si, named solution-based MIC （SMIC）. The nickel inducing source was formed on a-Si from salt solution dissolved in de-ionized water or ...; 关键词：Ni-salt source metal induced crystallization （MIC） POLY-SI TFT

基于AM-OLED基板的拓展多晶硅薄膜功能层的研究: 《Journal of Semiconductors》2008年第12期2393-2397,共5页李阳赵淑云吴春亚孟志国王忆熊绍珍; 国家高技术研究发展计划(批准号:2004AA303570);国家自然科学基金(批准号:60437030)资助项目~~; 在有源寻址有机发光二极管(active matrix organic light emitting diode,AM-OLED)显示基板中,将电学功能层——薄膜晶体管(thin fil mtransistor,TFT)有源层材料p型掺杂金属诱导晶化(metal induced crystallized,MIC)多晶硅(p+-MIC pol...; 关键词：P型掺杂多晶硅薄膜微腔多晶硅薄膜功能层 AM-OLED基板

国家自然科学基金(60437030)