云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- 国家自然科学基金(60436030)

国家自然科学基金(60436030): 作品数：47被引量：126H指数：7; 导出分析报告; 相关作者：李肇基张波罗萍罗小蓉方健更多>>; 相关机构：电子科技大学中国电子科技集团第五十八研究所西南科技大学成都信息工程大学更多>>; 相关期刊：《Chinese Physics B》《电工技术学报》《电子科技大学学报》《电子元件与材料》更多>>; 相关主题：击穿电压LDMOSSOIRESURF纵向电场更多>>; 相关领域：电子电信电气工程一般工业技术自动化与计算机技术更多>>

周期函数频率调制降低EMI水平研究被引量：1: 《电力电子技术》2010年第7期44-46,共3页郭海燕张波李肇基; 国家自然科学基金(60436030)~~; 周期函数频率调制是降低电路EMI水平的一个有效方法,但国内对其研究很少。这里论述了周期函数频率调制的调制波形、调制系数、调制频率的选择与降低电路传导EMI的关系。分析了占空比的选择对电路传导EMI大小的影响,指出当占空比为0.5时...; 关键词：变换器周期频率调制电磁兼容电磁干扰

An advanced monolithic digitalized random carrier frequency spread-spectrum clock generator for EMI suppression被引量：1: 《Journal of Semiconductors》2010年第6期128-128,I0001,I0002,00129,00130,共3页郭海燕陈早张波李肇基; Project supported by the National Natural Science Foundation of China(No.60436030).; A novel monolithic digitalized random carrier frequency modulation spread-spectrum clock generator （RCF-SSCG） is proposed.In this design,the output frequency of the proposed RCF-SSCG changes with the intensity of th...; 关键词：Ransom carrier frequency modulation spread-spectrum clock generator class D amplifier electromagnetic interference

薄硅层阶梯埋氧PSOI高压器件新结构: 《固体电子学研究与进展》2010年第3期327-332,共6页吴丽娟胡盛东张波李肇基; 国家自然科学基金资助项目(60436030);成都信息工程学院科研基金资助项目(CRF200827); 基于介质电场增强ENDIF理论,提出了一种薄硅层阶梯埋氧型部分SOI(SBPSOI)高压器件结构。埋氧层阶梯处所引入的电荷不仅增强了埋层介质电场,而且对有源层中的电场进行调制,使电场优化分布,两者均提高器件的击穿电压。详细分析器件耐压与...; 关键词：薄硅层介质场增强阶梯埋氧耐压调制自热效应

采用分段线性补偿的基准电流源设计被引量：4: 《微电子学》2009年第5期602-605,共4页李珂王博韦其明李泽宏; 国家自然科学基金资助项目(60436030); 介绍了一种高精度基准电流源。首先设计出不同温度系数的电流IPATA和-IVBE的产生电路,然后分析线性补偿的基本原理,通过电流的减法运算,在整个温度范围内分两段产生不同的补偿电流INL,并完成对电流IPATA的分段线性补偿,从而获得温度系...; 关键词：基准电流源分段补偿温度系数

扩频DC/DC变换器的纹波分析被引量：1: 《电力电子技术》2009年第6期24-25,共2页郭海燕张波李肇基; 国家自然科学基金重点项目(60436030)~~; 将扩频技术用于DC/DC变换器来抑制其传导EMI水平的方法在过去十年里已得到论证和使用。虽然输出电压纹波是DC/DC变换器的重要指标,但鲜有文章提及扩频技术在降低变换器EMI水平的同时对输出电压纹波的影响。在闭环工作状态下,就常用的4...; 关键词：变换器/扩频技术电磁干扰输出电压纹波

PSM调制的新型电流极限比较器: 《电工技术学报》2009年第3期153-158,共6页刘永根罗萍张波李肇基; 国家自然科学基金重点资助项目(60436030); 新型电流极限比较器由电流检测电路和电流比较电路两个部分组成。电流检测电路不仅能检测电感电流的大小,还能将检测电流精确引出,省去了脉冲前沿消隐电路;电流比较电路用电流镜网络代替传统的电阻网络,用电流比较器代替传统的电压比较...; 关键词：PSM调制电流极限比较电流检测电流比较

A new analytical model of high voltage silicon on insulator(SOI) thin film devices被引量：5: 《Chinese Physics B》2009年第1期315-319,共5页胡盛东张波李肇基; Project supported by the National Natural Science Foundation of China (Grant No 60436030);National Laboratory of Analogue Integrated Circuits,China (Grant No 9140C090305060C09); A new analytical model of high voltage silicon on insulator （SOI） thin film devices is proposed, and a formula of silicon critical electric field is derived as a function of silicon film thickness by solving a 2D Po...; 关键词：silicon critical electric field breakdown voltage thin silicon layer SOI high voltage device

DCM模态下PSM Boost变换器的能量模型和分岔规律被引量：3: 《电工技术学报》2009年第2期67-72,120,共7页罗萍甄少伟李肇基张波; 国家自然科学基金重点资助项目(60436030);重点实验室基金资助项目(9140C0903040805); 提出了断续工作模式(DCM)下Boost变换器的能量模型,通过比较基于此能量模型下PWM Boost变换器的输出电压与参考文献中的结果,证明了此能量模型的正确性。基于脉冲跨周调制(PSM)Boost变换器的能量模型,分析了DCM模式下变换器的稳定性;理...; 关键词：PSM调制模式能量模型稳定性混沌分岔

一种新型D-RESURF埋栅SOI LDMOS: 《微电子学》2008年第6期869-872,共4页廖红张伟罗小蓉张波李肇基顾晶晶; 国家自然科学基金重点资助项目(60436030); 提出了一种新型D-RESURF埋栅SOI LDMOS(EGDR-SOI LDMOS)结构,其栅电极位于P-body区的下面,可以在扩展的埋栅电极处形成多数载流子的积累层;同时,采用DoubleRESURF技术,在漂移区中引入两区的P降场层,有效降低了器件的比导通电阻,并提高...; 关键词：功率器件埋栅 DOUBLE RESURF S0i LDMOS

一种SOI-RFLDMOS器件的设计: 《西南民族大学学报（自然科学版）》2008年第6期1227-1232,共6页吴丽娟李泽宏张波李肇基; 国家自然科学基金(批准号:60436030)资助项目;成都信息工程学院科研基金(批准号:CRF200827)资助项目; 设计了一种基于SOI的RFLDMOS功率器件,建立了该器件的信号模型,分析了该器件的静态参数、动态参数和功率输出特性.借助仿真器,得到所研制的SOI-RFLDMOS耐压为95.9V、频率945MHz、输出功率30W、功率附加增益16.06dB等.; 关键词：SOI-RFLDMOS 功率增益

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