云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- 国家自然科学基金(69889601)

国家自然科学基金(69889601): 作品数：14被引量：31H指数：3; 导出分析报告; 相关作者：沈光地邹德恕郭霞廉鹏渠红伟更多>>; 相关机构：北京工业大学更多>>; 相关期刊：《半导体光电》《传感器世界》《北京工业大学学报》《激光与红外》更多>>; 相关主题：垂直腔面发射激光器半导体激光器多有源区增益谱隧道再生更多>>; 相关领域：电子电信理学更多>>

AlGaAs湿法氧化的热稳定性研究被引量：1: 《激光与红外》2006年第9期871-873,共3页董立闽郭霞渠红伟邹德恕廉鹏邓军沈光地; 国家自然科学基金资助项目(No.69889601);国家"863"高技术计划资助项目(No.2002AA312070); 文中针对A lGaAs湿法氧化后器件热稳定性变差,导致性能下降的问题进行了研究。对不同氧化条件下样品的热稳定性进行了比较,证明采用降低炉温、延长氧化时间以及经过预加热处理等方法可以有效提高器件的热稳定性。利用拉曼谱分析了A lGaA...; 关键词：垂直腔面发射激光器 ALGAAS 湿法氧化热稳定性

垂直腔面发射激光器菲涅耳系数矩阵法设计被引量：1: 《光电工程》2006年第7期44-47,77,共5页盖红星陈建新俞波廉鹏邓军李建军韩军沈光地; 国家自然基金项目(60276033和69889601);国家"863"高技术计划资助项目;国家"973"计划资助项目;北京市自然科学基金资助项目(4021001); 应用薄膜光学的菲涅耳系数矩阵方法,对垂直腔面发射激光器的驻波场分布设计做了深入的研究。计算结果表明,分布布拉格反射镜生长顺序对器件内部驻波分布有重要的影响。同时也说明菲涅耳系数矩阵法设计垂直腔面发射激光器是一种快速准确...; 关键词：垂直腔面发射激光器光学薄膜驻波场半导体激光器

隧道再生结构的垂直腔面发射激光器激射特性研究: 《固体电子学研究与进展》2005年第4期499-502,530,共5页渠红伟郭霞邓军董立闽廉鹏邹德恕沈光地; 国家自然科学基金资助项目(批准号:60276033和批准号69889601);国家"863"高技术计划资助项目(批准号:2002AA312070);国家"973"计划资助项目(批准号:G20000683-02);北京市自然科学基金资助项目(批准号:4021001); 对隧道再生多有源区内腔接触式垂直腔面发射激光器(VCSEL)材料特性进行了实验研究,得到了VCSEL外延片量子阱增益谱峰值波长、谐振腔谐振波长、DBR反射谱中心波长及材料的生长厚度偏差等重要信息。如果谐振腔谐振波长比增益谱峰值波长长2...; 关键词：垂直腔面发射激光器隧道再生边发射增益谱

渐变分布布拉格反射镜特性分析与测试被引量：1: 《传感器世界》2005年第6期15-18,共4页马丽娜郭霞盖红星渠红伟董立闽邓军廉鹏; 国家自然科学基金资助项目(批准号:60276033和69889601);国家"863"计划资助项目(批准号:2002AA312070);国家"973"计划资助项目(批准号:G20000683-02);北京市自然科学基金资助项目(批准号:4021001); 垂直腔面发射激光器(VCSELs)是一种新型半导体激光器,可以广泛应用于光通信和光互连。本文模拟分析了垂直腔面发射激光器中的分布布拉格反射镜(DBRs)对价带势垒的影响,并对几种不同结构的反射镜的电阻进行了测试,测试结果表明采用抛物...; 关键词：分布布拉格反射镜价带势垒渐变结构

隧道再生多有源区垂直腔面发射激光器光学特性研究: 《激光与红外》2005年第4期246-249,共4页渠红伟郭霞邓军董立闽廉鹏邹德恕沈光地; 国家自然科学基金资助项目(NO: 60276033和NO:69889601);国家"863"高技术计划资助项目 (NO:2002AA312070 );国家"973"计划资助项目(NO:G20000683-02 );北京市自然科学基金资助项目(NO: 4021001)。; 文章对隧道再生两个有源区内腔接触式垂直腔面发射激光器(VCSEL)光学特进行了研究。主要包括:通过纵向光场分布模拟分析了驻波效应;测量得到了VCSEL外延片量子阱增益谱峰值波长、谐振腔谐振波长、分布布喇格反射器(DBR)反射谱中心波长...; 关键词：垂直腔面发射激光器边发射模式增益谱

垂直腔面发射激光器温度特性的研究被引量：7: 《激光与红外》2005年第2期83-86,共4页渠红伟郭霞董立闽邓军达小丽徐遵图沈光地; 国家自然科学基金资助项目 (No. 60276033和No.69889601);国家"863"高技术计划资助项目 (No.2002AA312070 );国家"973"计划资助项目(No.G20000683 -02 );北京市自然科学基金资助项目(No. 4021001)。; 借助于SV-32低温恒温器及LD2002C5 VCSEL测试系统,对内腔接触式氧化物限制型垂直腔面发射激光器进行了变温实验研究,测得在-10℃～70℃温度范围内,器件输出光功率、电压、斜率效率、发射波长和阈值电流随温度变化的实验曲线,并结合不同...; 关键词：垂直腔面发射激光器增益谱谐振腔反射谱温度

Al_(0.98)Ga_(0.02)As的湿法氧化规律被引量：6: 《Journal of Semiconductors》2005年第1期197-201,共5页董立闽郭霞渠红伟杜金玉邹德恕廉鹏邓军徐遵图沈光地; 国家自然科学基金 (批准号 :60 2 760 3 3和 6988960 1);国家高技术研究发展计划 (批准号 :2 0 0 2AA3 12 0 70 );国家重点基础研究发展规划 (批准号 :G2 0 0 0 0 683 0 2 );北京市自然科学基金 (批准号 :40 2 10 0 1)资助项目~~; 为实现精确控制VCSELs器件中氧化孔的大小 ,对Al0 .98Ga0 .0 2 As的湿法氧化规律进行了分析研究 .首先运用一维Deal Grove模型分析了Al0 .98Ga0 .0 2 As条形台面湿法氧化的一般规律 ,并在此基础上进一步分析推导 ,加以适当的简化 ,提出...; 关键词：VCSEL ALGAAS 湿法氧化

射频磁控溅射腔面镀膜半导体激光器的可靠性被引量：1: 《固体电子学研究与进展》2004年第2期229-232,共4页鲁鹏程郭伟玲邹德恕刘莹崔碧峰李建军沈光地; 国家 973基金资助项目 ( G2 0 0 0 0 683 -0 2 ) ;北京市自然科学基金 ( 4 0 3 2 0 0 7) ;国家 863计划资助项目 ( 2 0 0 2 AA3 12 0 70 ) ;国家重大项目国家自然科学基金 ( 6988960 1); 利用射频磁控溅射法对半导体激光器的腔面镀 Si O2 膜 ,并对镀膜后的器件在恒定电流下进行了加速寿命实验 ,结果表明镀膜后器件的特性得到了很大改善。器件平均输出功率提高了 49.8% ,平均阈值电流下降了 7% ,平均斜率效率提高了 5 0 % ...; 关键词：半导体激光器射频磁控溅射腔面镀膜可靠性

980nm Oxide-Confined Vertical Cavity Surface Emitting Laser被引量：1: 《Journal of Semiconductors》2004年第3期262-265,共4页渠红伟郭霞黄静董立闽廉鹏邓军朱文军邹德恕沈光地; 国家自然科学基金(批准号:60276033,69889601);国家高技术研究发展计划(批准号:2002AA312070);国家重点基础研究发展规划(批准号:G20000683-02);北京市自然科学基金(批准号:4021001);北京市教委(批准号:01kJ-014)资助项目~~; Top-emitting oxide-confined intra-cavity contact structure 980nm VCSEL is fabricated by low-pressure metal organic chemical-vapor deposition (LP-MOCVD).Self-aligning etching process and selective oxidation are applied...; 关键词：VCSEL oxide-aperture self-aligning process

射频溅射法镀LD腔面光学薄膜的工艺研究被引量：1: 《半导体光电》2003年第6期451-453,共3页邹德恕徐晨鲁鹏程杜金玉崔碧峰舒雄文刘莹沈光地; 国家"973"计划资助项目(G20000683-02);国家自然科学基金重点资助项目 (6988960 1 );北京市科委支持项目(992 70 60 1 ); 　介绍了用普通多靶射频溅射台镀半导体激光器腔面光学膜的工艺方法,给出了实验的工艺条件、采用的光学膜的材料以及具体的工艺参数,讨论了此方法镀光学膜的结果以及优点。; 关键词：射频溅射增透膜高反射膜量子效率

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