南京电子器件研究所

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发文作者：薛舫时贾正根李忠辉林金庭董逊更多>>
发文领域：电子电信电气工程理学一般工业技术更多>>
发文主题：砷化镓GAASGAN功率放大器MMIC更多>>
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AI光学神经网络计算芯片发展现状及趋势
《光电子技术》2025年第1期1-9,共9页杨卓樾 钱广 黄梦昊 孔月婵 陈堂胜 
国家重点研发计划(2022YFB2802502,2022YFB2802702)。
介绍了用于人工智能的光学神经网络芯片工作原理、系统架构以及应用场景,分析了近年来国内外的研究现状,总结了关键技术和未来的发展趋势。为突破传统电子计算“功耗墙”和“算力墙”提供了全新技术路径,在人工智能领域展现出诱人的应...
关键词：光计算 光学神经网络 人工智能 
超宽带隙氧化镓功率器件热管理的研究进展
《人工晶体学报》2025年第2期290-311,共22页谢银飞 何阳 刘伟业 徐文慧 游天桂 欧欣 郭怀新 孙华锐 
集成电路材料全国重点实验室开放课题(SKLIC-K2024-04);广东省科技创新青年拔尖人才项目(2021TQ06C953);深圳市基础研究面上项目(JCYJ20190806142614541)。
氧化镓的低热导率是其功率器件发展的最大瓶颈,使其在高功率密度下产热时面临高效散热的巨大挑战。因此,开发全新的热管理和封装技术迫在眉睫。通过材料、器件和封装多层面的热管理来缓解自热引发的性能与可靠性问题成为关键。本文综述...
关键词：热管理 超宽带隙 氧化镓 材料-器件-封装 结侧散热 高导热率衬底集成 电热协同设计 
MOCVD生长的外延层掺杂氧化镓场效应晶体管
《人工晶体学报》2025年第2期312-318,共7页郁鑫鑫 沈睿 于含 张钊 赛青林 陈端阳 杨珍妮 谯兵 周立坤 李忠辉 董鑫 张洪良 齐红基 陈堂胜 
国家重点研发计划(2022YFB3605504)。
本文基于Ga_(2)O_(3)MOCVD外延材料,开展了Ga_(2)O_(3)场效应晶体管的研制和性能研究。为了降低器件的导通电阻,优化了外延层设计,将掺杂浓度提高至1×10^(18) cm^(-3)以上。通过长沟道器件提取的外延层的电子浓度和场效应迁移率分别为2...
关键词：氧化镓 MOCVD外延 掺杂 比导通电阻 击穿电压 功率优值 
4 GHz~8 GHz宽带高增益250 W GaN功率放大器设计
《微波学报》2025年第1期6-9,共4页景少红 苏鹏 黄锦文 徐祖银 
研制了一款基于0.25μm氮化镓高电子迁移率晶体管工艺的4 GHz~8 GHz宽带高增益功率放大器。通过对模型管的S参数和I-V曲线进行测试并进行拟合,最终得到氮化镓管芯的大信号等效电路模型,并利用氮化镓管芯的大信号等效电路模型进行精确的...
关键词：氮化镓 宽带 高增益 大功率 
基于氮化镓0.1µm工艺的W波段宽带低噪声放大器芯片
《空间电子技术》2025年第1期103-108,共6页陈岩 王维波 王光年 陈忠飞 祁路伟 杨帆 张亦斌 吴少兵 
国家重点研发计划(编号:2023YFF0718203)。
文章针对高速宽带无线通信系统、仪器仪表、汽车雷达、安检成像等领域对低噪声放大器的低噪声、高增益、大动态范围和高可靠性需求,研发了一款基于0.1µm氮化镓(GaN)低压工艺的宽带低噪声放大器芯片,可在W波段75GHz~110GHz全频带内工作...
关键词：W波段 宽带 0.1μm氮化镓 低噪声放大器 
一种毫米波双面晶圆的自动化三维测试系统
《固体电子学研究与进展》2025年第1期94-101,共8页杨进 张君直 朱健 黄旼 郁元卫 闫樊钰慧 王留宝 
基础加强计划重大基础研究项目(2022-JCJQ-DA-002-10)。
近年来,随着摩尔定律逐渐放缓,晶上系统(System on wafer, SoW)技术作为最热门的“超越摩尔”技术路线之一,已经成为先进封装领域的研究热点。基于晶上系统技术,将传统的毫米波收发前端阵列组件进行三维重构集成,可实现全新的轻薄化毫...
关键词：毫米波 双面晶圆 自动化测试 三维测试 测试系统 
SiP外壳陶瓷裂纹及开短路异常分析与改进研究
《固体电子学研究与进展》2025年第1期102-109,共8页莫仲 邵金涛 陈骏 李傲奇 李航 韩添 
SiP陶瓷外壳具有高集成度、高可靠性、易拆解便于故障定位等特点,在通信、航空、航天等领域得到了广泛应用,然而,陶瓷体在长期服役过程中可能出现裂纹及开短路异常等可靠性问题。本文从微观角度分析了SiP外壳缺陷的产生原因。利用复合...
关键词：陶瓷裂纹 开路 短路 SiP外壳 
65GHz薄膜铌酸锂电光强度调制器
《固体电子学研究与进展》2025年第1期F0003-F0003,共1页顾晓文 钱广 王琛全 戴姜平 唐杰 孔月婵 陈堂胜 
南京电子器件研究所基于自主101.6mm(4英寸)硅基绝缘体上薄膜铌酸锂(Lithium niobate-on-insulator,LNOI)工艺平台设计并成功研制了LNOI电光强度调制器芯片(如图1所示,单只芯片尺寸12.5mm×2.2mm),研究了低损耗LNOI光波导、低应力低损...
关键词：低插入损耗 铌酸锂 芯片尺寸 微波光子 调制带宽 回波损耗 光波导 光传输 
基于MOCVD的β-Ga_(2)O_(3)同质外延与Al掺异质结外延生长研究进展
《固体电子学研究与进展》2025年第1期1-15,共15页刘洋 何云龙 陈谷然 陆小力 郑雪峰 马晓华 郝跃 
国家自然科学基金资助项目(62474133,U2241220);实验室开放基金项目(2413S111);中央高校基本业务费资助项目(QTZX23019,ZDRC2002)。
β-Ga_(2)O_(3)是一种具有超宽带隙、高临界击穿场强和优异的巴利加优值的半导体材料,近年来在电力电子与深紫外光电探测等领域展现出巨大的应用潜力。金属有机化学气相沉积(Metal-organic chemical vapor deposition,MOCVD)技术凭借其...
关键词：β-Ga_(2)O_(3) 金属有机化学气相沉积 同质外延 β-(Al_(x)Ga_(1-x))_(2)O_(3) 
增强型Si基GaN HEMT的p-GaN栅特性改善研究
《固体电子学研究与进展》2025年第1期16-21,共6页鲍诚 王登贵 任春江 周建军 倪志远 章军云 
五十五所稳定支持资助项目(2310N061);国家自然科学基金资助项目(62104218)。
阈值电压和栅极漏电是评价增强型Si基p-GaN栅结构GaN HEMT器件性能的重要参数。热应力和电应力变化会加剧器件栅极附近的电子隧穿效应,促使热电子与器件缺陷相互作用形成界面态,进而导致栅极漏电增大和阈值电压漂移,长时间工作会引起栅...
关键词：GaN HEMT P-GAN 阈值电压 栅极漏电 热应力 电应力 
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