云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- 电子科技大学微电子与固体电子学院

电子科技大学微电子与固体电子学院: 作品数：1774被引量：5139H指数：24; 导出分析报告; 发文作者：王豪才王京梅唐武贾坤杨文君更多>>; 发文领域：电子电信电气工程一般工业技术理学更多>>; 发文主题：性能研究ZNO印制电路板聚芳醚腈介电性能更多>>; 发文期刊：更多>>; 所获基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国防科技技术预先研究基金中央高校基本科研业务费专项资金更多>>

非晶态磷酸锂包覆钛酸锂电极在0.01~3.00 V电压范围的性能研究被引量：5: 《无机材料学报》2021年第9期999-1005,I0002,共8页王影张文龙邢彦锋曹苏群戴新义李晶泽; National Natural Science Foundation of China(51575335);Program for New Century Excellent Talents in University(NCET-10-0296);Science and Technology Commission of Shanghai Municipality(16030501300);Open fund of Jiangsu Laboratory of Lake Environment Remote Sensing Technologies(JSLERS-2019-003);Open Project of Shanghai Key Laboratory of Digital Manufacture for Thin-walled Structures(2019-002)。; 长期以来,表面包覆一直是改善锂离子电池电极材料电化学性能的有效手段。本研究采用磁控溅射法将非晶态磷酸锂包覆在Li4Ti5O12电极片表面,修饰后电极表面光滑,形成了均匀的非晶态磷酸锂包覆层。在0.01–3.00 V电压范围的充放电测试结果...; 关键词：钛酸锂磷酸锂阳极锂离子电池磁控溅射

光模块PCB中高速材料的应用及关键加工技术探讨被引量：1: 《印制电路信息》2021年第S01期80-85,共6页陈世金梁鸿飞韩志伟徐缓周国云陈苑明王守绪何为杨凯张胜涛陈际达; 梅州市引进重大科技创新平台和项目——基于5G通讯终端高速高散热印制电路关键技术及产业化(项目编号:2019A0102002)支持; 5G技术日趋成熟,推动5G相关产品应用开始逐渐多起来了,通信市场和数通市场是光模块产品的两大应用领域,其对PCB及所使用的基板材料提出了越来越高的要求。基板材料的超薄化、高可靠性和低信号损耗是5G光模块产品的新要求,控制好尺寸精度...; 关键词：光模块板高速材料印制插头耐CAF 耐MFG 信号损耗

一种内嵌NMOS的抗闩锁双向MHVDDSCR: 《微电子学》2020年第1期132-136,共5页陈磊刘志伟刘俊杰陈瑞博杨波李浩亮; 国家自然科学基金资助项目(61874098).; 针对双向可控硅(DDSCR)易发生闩锁效应的问题,提出了一种多路高维持电压DDSCR(MHVDDSCR)。在器件的两边嵌入NMOS管,构成电流通路,抽取阱内的空穴与电子,促使反偏PN结内电场增强,提高了维持电压。采用Sentaurus TCAD进行了仿真验证。结...; 关键词：闩锁效应 DDSCR MHVDDSCR 静电放电维持电压

稻田土壤微生物驱动的微好氧亚铁氧化耦合碳同化过程被引量：8: 《中国科学：地球科学》2019年第12期1948-1959,共12页李晓敏牟山陈娅婷刘同旭董军李芳柏; 国家自然科学基金项目(批准号:41571130052、41701295、41271263);广东省自然科学杰出青年基金项目(编号:2017A030306010)资助; 在富铁的淡水和海洋环境中,微生物驱动的中性微好氧亚铁氧化过程能够耦合碳同化过程;而针对中国华南红壤关键带稻田土壤中的这一耦合过程却鲜有报道.文章分别以Fe S和Fe CO3为底物,以华南淹水稻田根际土壤为接种物,采用铁氧反向浓度梯...; 关键词：微好氧亚铁氧化稻田土壤碳同化微生物

CMOS外延工艺下MLSCR器件鲁棒性的研究: 《微电子学》2019年第6期834-837,共4页何刚刘继芝杨凯; 国家自然科学基金资助项目(61874098);中央高校基本业务费资助项目(ZYGX2018J025);四川省平台建设资助项目(18PTDJ0053); 传统的改进型横向SCR(MLSCR)器件能够在最小的面积下实现最大的静电放电(ESD)鲁棒性,被广泛应用于ESD防护领域。但是,采用55 nm CMOS外延工艺制作的MLSCR器件会出现鲁棒性剧烈下降且回滞即失效的问题。对器件版图结构进行调整,并进行多...; 关键词：MLSCR 静电放电失效分析

内嵌PMOS的高维持电压LVTSCR设计被引量：1: 《现代电子技术》2019年第16期49-52,57,共5页陈磊李浩亮刘志伟刘俊杰杨波; 国家自然科学基金资助项目(61874098)~~; LVTSCR器件结构相对于普通SCR具有低电压触发特性而被广泛用于集成电路的片上静电放电(ESD)防护中。但是在ESD事件来临时,其维持电压过低易发生闩锁(latch-up)效应致使器件无法正常关断。为改进LVTSCR这一缺陷,提出了一种内嵌PMOS的高...; 关键词：LVTSCR 静电放电闩锁效应维持电压 EP-LVTSCR 分流

硫酸盐光亮镀锡添加剂的研究被引量：4: 《电镀与环保》2019年第4期20-23,共4页高箐遥王守绪陈苑明陈世金何为; 2015年广东省科技计划项目(No.2015B090901032);广东省“扬帆计划”引进创新创业团队项目(No.2015YT02D025); 研究了添加剂对硫酸盐镀锡的影响,并确定了最佳的添加剂组合。不含添加剂时,镀液的活化极化很小,只能得到结合力和致密性差、表面粗糙的镀层。对苯二酚可以提高镀液的抗氧化性和稳定性;酒石酸钾钠可以配位Sn^2+,降低锡沉积的峰值电流密...; 关键词：硫酸盐镀锡添加剂阴极极化

一种用于5 V电源ESD防护的双MOS触发SCR: 《微电子学》2019年第3期408-412,共5页陈瑞博陈磊李浩亮刘志伟邹望辉许海龙; 国家自然科学基金资助项目(61674055); 低电压触发的可控硅器件LVTSCR具有低触发特性,被广泛应用于静电放电(ESD)防护领域。为了避免LVTSCR在工作时发生闩锁效应和潜在失效,基于0.18μm BCD工艺,提出一种双MOS触发的DMTSCR。TCAD仿真结果显示,相比传统LVTSCR,DMTSCR具有更低...; 关键词：LVTSCR 静电放电 DMTSCR 闩锁效应触发电压维持电压

用于片上ESD防护的新型高维持电压可控硅被引量：3: 《微电子学》2019年第2期275-278,共4页许海龙李浩亮刘志伟邹望辉陈瑞博; 国家自然科学基金资助项目(61674055); 为解决闩锁效应,设计了一种新颖的异质结双极晶体管触发可控硅(NHTSCR)。利用异质结晶体管串联反向异质结晶体管来分流SCR的方法,抑制电导调制效应,提高了维持电压。分析了提高NHTSCR维持电压的可行性,详述工作原理,并给出实现步骤。基...; 关键词：异质结双极晶体管晶闸管静电放电维持电压触发电压

一种用于5V电源ESD防护的新型高维持电压MLSCR被引量：1: 《微电子学》2019年第2期288-291,298,共5页陈瑞博李浩亮刘志伟陈磊邹望辉许海龙; 国家自然科学基金资助项目(61674055); 针对5 V电源的静电放电(ESD)防护,提出一种利用PMOS管分流的新型优化横向可控硅(PMOS-MLSCR)。相比于传统MLSCR,PMOS-MLSCR具有更高的维持电压和相对较低的触发电压,有效避免了传统MLSCR面临的闩锁风险。基于0.18μm BCD工艺,采用TCAD...; 关键词：横向晶闸管 PMOS 维持电压闩锁分流

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