HUMP

作品数：34被引量：31H指数：3
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Positive gate bias stress-induced hump-effect in elevated-metal metal-oxide thin film transistors
《Chinese Physics B》2017年第12期587-590,共4页齐栋宇 张冬利 王明湘 
Project supported by the Science and Technology Program of Suzhou City,China(Grant No.SYG201538);the National Natural Science Foundation of China(Grant No.61574096)
Under the action of a positive gate bias stress, a hump in the subthreshold region of the transfer characteristic is observed for the amorphous indium-gallium-zinc oxide thin film transistor, which adopts an elevated-...
关键词：amorphous indium-gallium-zinc oxide thin film transistors positive bias stress HUMP 
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