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Study of He-induced nano-cavities as sinks of oxygen for forming silicon-on-insulator: 《Chinese Physics B》2008年第10期3836-3840,共5页李炳生张崇宏郝小鹏王丹妮周丽宏张洪华杨义涛张丽卿; In the present work, a Cz-Silicon wafer is implanted with helium ions to produce a buried porous layer, and then thermally annealed in a dry oxygen atmosphere to make oxygen transport into the cavities. The formation ...; 关键词：positron annihilation nano-cavity oxygen diffusion silicon dioxide

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