LIFTOFF

作品数：6被引量：15H指数：2
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Electrochemical liftoff of freestanding GaN by a thick highly conductive sacrificial layer grown by HVPE被引量：1
《Chinese Physics B》2021年第6期531-535,共5页Xiao Wang Yu-Min Zhang Yu Xu Zhi-Wei Si Ke Xu Jian-Feng Wang Bing Cao 
supported by the National Key R&D Program of China (Grant Nos. 2017YFB0404100 and 2017YFB0403000);the National Natural Science Foundation of China (Grant No. 61704187);the Key Research Program of the Frontier Science of the Chinese Academy of Sciences (Grant No. QYZDB-SSWSLH042)。
Separation technology is an indispensable step in the preparation of freestanding GaN substrate. In this paper, a largearea freestanding GaN layer was separated from the substrate by an electrochemical liftoff process...
关键词：electrochemical etching LIFTOFF hydride vapor phase epitaxy(HVPE) freestanding GaN 
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