NON-POLAR

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Effect of the thickness of InGaN interlayer on a-plane GaN epilayer
《Chinese Physics B》2015年第2期357-361,共5页王建霞 汪连山 张谦 孟祥岳 杨少延 赵桂娟 李辉杰 魏鸿源 王占国 
supported by the National Natural Science Foundation of China(Grant Nos.91233111,61274041,and 11275228);the Special Funds for Major State Basic Research Project of China(Grant No.2012CB619305);the National High Technology R&D Program of China(Grant Nos.2014AA032603 and2014AA032609);the Guangdong Provincial Special Fund for LED Industrial Development,China(Grant No.2012A080302003)
In this paper,we use the a-plane InGaN interlayer to improve the property of a-plane GaN.Based on the a-InGaN interlayer,a template exhibits that a regular,porous structure,which acts as a compliant effect,can be obta...
关键词：non-polar a-plane GaN InGaN interlayer peel-off metalorganic chemical vapor deposition 
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