PHOTOTRANSISTORS

作品数：30被引量：61H指数：5
导出分析报告
相关领域：电子电信一般工业技术更多>>
相关作者：华树明更多>>
相关机构：北京半导体照明科技促进中心常州市产品质量监督检验所杭州远方光电信息股份有限公司飞利浦灯具(上海)有限公司更多>>
相关期刊：《Nano-Micro Letters》《Science China Chemistry》《Science Bulletin》《Frontiers of physics》更多>>
相关基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划高等学校学科创新引智计划福建省自然科学基金更多>>
-
在结果中检索

检索结果分析

结果分析中...
选择条件：
  • 期刊=Semiconductor Science and Information Devicesx
共 条 记 录，以下是1-1
全选清除导出
参考文献引证文献引用追踪
视图：
排序：
Intrinsic Photoconductivity of Few-layered ZrS2 Phototransistors via Multiterminal Measurements
《Semiconductor Science and Information Devices》2019年第2期19-28,共10页Rukshan M.Tanthirige Carlos Garcia Saikat Ghosh Frederick Jackson II Jawnaye Nash Daniel Rosenmann Ralu Divan Liliana Stan Anirudha V.Sumant Stephen A.McGill Paresh C.ay Nihar R.Pradhan 
N.R.P.acknowledged NSF-PREM through NSFDMR-1826886,HBCU-UP Excellence in research NSFDMR-1900692;A portion of this work was performed at the National High Magnetic Field Laboratory,which is supported by the National Science Foundation Cooperative Agreement No.DMR-1644779;the State of Florida.This work was performed,in part,at the Center for Nanoscale Materials,a U.S.Department of Energy Office of Science User Facility;supported by the U.S.Department of Energy,Office of Science,under Contract No.DE-AC02-06CH11357.
We report intrinsic photoconductivity studies on one of the least examined layered compounds,ZrS2.Few-atomic layer ZrS2 field-effect transistors were fabricated on the Si/SiO2 substrate and photoconductivity measureme...
关键词：Field-effect transistors Zirconium sulphide PHOTOTRANSISTOR RESPONSIVITY Quantum efficiency 
全选清除导出
共1页<1>
检索报告 对象比较 聚类工具 使用帮助 返回顶部