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GaN-based violet laser diodes grown on free-standing GaN substrate: 《Chinese Physics B》2009年第12期5350-5353,共4页张立群张书明江德生王辉朱建军赵德刚刘宗顺杨辉; Project supported by the National Natural Science Foundation of China (Grant Nos 60506001,60776047,60476021,60576003 and 60836003);the National Basic Research Programme of China (Grant No 2007CB936700); A violet laser diode （LD） structure is grown on a free-standing c-plane GaN substrate and 4 μm×800μm ridge waveguide LDs are fabricated. The electrical and the optical characteristics of LDs under different facet...; 关键词：GaN laser diode mounting configuration active region temperature