ASPECT-RATIO

作品数：12被引量：15H指数：3
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Selective Area Growth of GaAs in V-Grooved Trenches on Si(001) Substrates by Aspect-Ratio Trapping
《Chinese Physics Letters》2015年第2期148-151,共4页李士颜 周旭亮 孔祥挺 李梦珂 米俊萍 边静 王伟 潘教青 
Supported by the National Science and Technology Major Project of China under Grant No 2011ZX02708
A high quality of GaAs crystal growth in nanoscale V-shape trenches on Si（O01） substrates is achieved by using the aspect-ratio trapping method. GaAs thin films are deposited via metal-organic chemical vapor deposit...
关键词：Selective Area Growth of GaAs in V-Grooved Trenches on Si Substrates by Aspect-Ratio Trapping 
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