SNAPBACK

作品数：24被引量：35H指数：3
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半超结抑制RC-TIGBT Snapback效应机理与仿真
《微电子学》2019年第4期563-567,共5页陆素先 向超 王森 钟传杰 
国家青年基金资助项目(61504049)
首次对半超结RC-TIGBT与传统RC-TIGBT的正向导通机理进行了比较研究。通过Silvaco TCAD软件仿真,模拟研究了Ydrift值、P-集电区宽度与N+短路区宽度等关键参数对Snapback效应的影响。结果表明,回退电压点随着Ydrift的减小而减小,且与Ydr...
关键词：逆导IGBT 超结 负阻效应 集电极尺寸 
Design Analysis of a Novel Low Triggering Voltage Dual Direction SCR ESD Device in 0.18μm Mixed Mode RFCMOS Technology被引量：1
《Journal of Semiconductors》2008年第11期2164-2168,共5页朱科翰 于宗光 董树荣 韩雁 
the Natural Science Foundation of Jiangsu Province(No.BK2007026);the Natural Science Foundation of Zhejiang Province(No.Y107055)~~
A novel SCR on-chip ESD device is proposed to protect IC chips against ESD stressing in two opposite direc- tions. The triggering voltages of four types of dual direction SCRs （DDSCR） are compared and analyzed, pMOS...
关键词：electrostatic discharge dual direction SCR SNAPBACK 
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