低频内耗

作品数：21被引量：24H指数：3
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偏铌酸铅陶瓷低频内耗的研究
《无机材料学报》2000年第5期827-832,共6页贺连星 李承恩 陈廷国 刘卫 朱震刚 水嘉鹏 
863项目!(863-715-006-0060)
用低频倒置扭摆对改性偏铌酸铅铁电陶瓷的内耗进行了研究．在新加工的样品中发现了六个内耗峰，分别位于７０℃（Ｐ１峰）、 ９０℃（Ｐ２峰）、２００℃（Ｐ３峰）、２６０℃（Ｐ４峰）、４３０℃（Ｐ５峰）和５１０℃（Ｐ６峰）处．...
关键词：内耗 偏铌酸铅陶瓷 畴壁 氧空位 铁电 压电 
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