射频前端电路

作品数：24被引量：62H指数：4
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一种2.4GHz SiGe全集成射频前端电路被引量：3
《微电子学与计算机》2020年第10期7-12,共6页刘启 甘业兵 黄武康 
国家973计划项目(2013CB328903-2)。
基于0.18μm SiGe工艺设计了一款2.4 GHz全集成射频前端电路.该射频前端包含了四个单刀开关、一个功率放大器(PA)和一个低噪声放大器(LNA).基于联合设计的思路,该电路只有一个输入管脚和一个输出管脚,低噪声放大器的阻抗匹配网络与功率...
关键词：射频前端 低噪声放大器 功率放大器 低噪声 SIGE 联合设计 
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