时钟产生

作品数:74被引量:68H指数:4
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一种基于注入锁定环形振荡器的时钟产生电路被引量:3
《微电子学》2017年第2期191-194,共4页孟煦 林福江 
提出了一种基于谐波注入锁定数控环形振荡器的时钟产生电路。采用注入锁定技术,极大地抑制了环形振荡器的相位噪声。在频率调谐环路关断的情况下,数控式振荡器可以正常工作,与需要一直工作的锁相环相比,大大节省了功耗。分析了电路的参...
关键词:谐波 注入锁定振荡器 数控振荡器 时钟产生电路 锁相环 
一种低抖动低杂散的亚采样锁相环被引量:1
《微电子学》2017年第1期70-73,共4页罗林 孟煦 刘认 林福江 
设计了一个5.156 25GHz低抖动、低杂散的亚采样锁相环,使用正交压控振荡器产生4路等相位间隔时钟。分析了电荷泵的杂散理论,使用差分缓冲器和互补开关对实现了低杂散。使用Dummy采样器和隔断缓冲器,进一步减小了压控振荡器对杂散的恶化...
关键词:时钟产生 电荷泵杂散机理 锁相环 低杂散 低抖动 
2.5Gb/s PS/PI型半速率时钟数据恢复电路设计被引量:2
《微电子学》2014年第6期793-797,802,共6页李轩 张长春 李卫 郭宇锋 张翼 方玉明 
国家自然科学基金资助项目(61076073);中国博士后科学基金资助项目(2012M521126);江苏省自然科学基金资助项目(BK20130878;BK2012435;BK20141431);江苏省科技支撑计划-工业部分(BE2013130);教育部博士点基金资助项目(20133223120005;20133223110003);南京邮电大学基金资助项目(NY211016;BK20141431)
采用标准0.18μm CMOS工艺,设计了一种相位选择(PS)/相位插值(PI)型半速率时钟数据恢复电路。该电路主要由半速率Bang-Bang鉴相器、改进型PS/PI电路、数字滤波器和数字控制器等模块构成。改进型PS/PI电路通过两个相位选择器和两个相位...
关键词:时钟数据恢复 相位选择 相位插值 半速率 正交时钟产生 
一种新颖的低非线性全数字多相时钟产生电路被引量:2
《微电子学》2014年第4期467-471,共5页甘武兵 夏婷婷 甄少伟 贺雅娟 陈静波 
通过对传统的全数字多相位时钟产生电路进行分析和总结,提出一种新颖的延时校准算法。该算法通过优化调整延时单元的顺序,大大改善了全数字多相位时钟产生电路的非线性。整个电路基于全数字延迟锁相环,采用0.13μm CMOS工艺实现,并成功...
关键词:多相位时钟产生 校准算法 低非线性 延迟锁相环 
SOC用400~800MHz锁相环IP的设计被引量:6
《微电子学》2008年第5期743-747,共5页樊勃 戴宇杰 张小兴 吕英杰 
天津市科技发展计划科技攻关项目资助(043182111)
设计了一个基于锁相环结构、可应用于SOC设计的时钟产生模块。电路输出频率在400~800MHz,使用SMIC0.18μm CMOS工艺进行流片。芯片核心模块工作电压为1.8V和3.3V。根据Hajimi关于VCO中抖动(jitter)的论述,为了降低输出抖动,采用一种全...
关键词:时钟产生电路 锁相环 压控振荡器 
基于噪声分析的低抖动全数字锁相环的设计被引量:6
《微电子学》2008年第4期600-604,共5页邓小莺 杨军 陈鑫 时龙兴 
国家自然科学基金资助项目(90407009)
设计了一个用于时钟产生的全数字锁相环(ADPLL),其数控振荡器(DCO)采用9级环形振荡器,每级延迟单元的延迟时间均是可调的,各级倒相器的尺寸经过精确设计。该电路基于SMIC0.13μm CMOS工艺,采用1.2V电源供电,整个芯片的面积为...
关键词:全数字锁相环 时钟产生 数控振荡器 噪声 抖动 
时钟产生电路中高频生成器的分析与设计被引量:1
《微电子学》2008年第2期218-221,共4页姚丽娜 
国家自然科学基金资助项目(60676016);湖南省高校科研基金资助项目(06D064)
分析了目前常用的高频生成器的电路结构及其优缺点,提出了一种新的高频生成器电路结构。该电路完全由数字逻辑门构成,结构简单;同时,倍频系数可达10以上;在参考时钟频率为100 MHz时,可以实现1 GHz以上输出时钟的高频输出。
关键词:延迟锁定环 时钟产生电路 高频生成器 
一种频率可调时钟产生电路的研究被引量:1
《微电子学》2005年第1期85-88,共4页朱晖 倪学文 莫邦燹 项斌 
研究了一种用于微机械加速度计的CMOS时钟产生电路。该电路可以方便地实现片内 时钟的精确产生,集成了具有高电源抑制比的基准电压源,振荡频率可根据需要调节。实际电路采 用1.2 μm双层多晶硅、双层金属N阱CMOS工艺实现。在5 V电源电压...
关键词:时钟产生电路 频率可调 振荡器 
100Mb/s以太网卡芯片时钟产生电路的设计与实现
《微电子学》2004年第1期81-84,共4页朱全庆 邹雪城 李海华 沈绪榜 
 设计了一个100Mb/s以太网卡芯片时钟产生电路,介绍了电路的体系结构、模块电路分析、锁相环参数设定和芯片版图。该时钟产生电路经过TSMC0.35μm1P5MCMOS工艺验证,工作电压为3.3V。实验结果表明,电路能够满足以太网卡芯片的要求。
关键词:以太网卡 芯片时钟 电路设计 锁相环 电荷泵 压控振荡器 
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