电子输运性质

作品数：107被引量：115H指数：6
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硅纳米结点电子输运性质的计算被引量：2
《计算物理》2013年第6期943-948,共6页柳福提 程艳 羊富彬 程晓洪 陈向荣 
国家自然科学基金(11174214;11204192);四川省教育厅科研项目(13ZB0207)资助项目
运用第一性原理密度泛函理论结合非平衡格林函数方法,对3个Si原子构成的直线链耦合在Au(100)面形成的三明治结构的纳米结点的电子输运进行计算.结果得到结点电导随距离的变化,当d z=1.584 nm时,结合能最小,结构最稳定,此时Si-Si键长为0....
关键词：密度泛函理论 非平衡格林函数 硅纳米结点 电子输运 
有机分子电子输运性质的计算与分析被引量：3
《计算物理》2009年第4期624-628,共5页刘瑞金 王传奎 
从第一性原理出发,采用杂化的密度泛函理论和弹性散射格林函数法,计算有机分子4,4′-二巯基二苯醚分子的电子结构并研究其电子输运性质.计算结果表明,电场对分子系统电子结构有明显的影响,电流、电导表现为非线性变化,与不考虑电场作用...
关键词：电子结构 伏安特性 分子电子学 
双带紧束缚模型中噪声对超晶格中电子输运性质的影响(英文)
《计算物理》2005年第5期425-430,共6页邵建立 段素青 赵宪庚 
Supportedin part bythe National Natural Science Foundations of China (Grant No.10274007 and 90103027) ; a grant of the ChinaAcademy of Engineering and Physics
运用直交流电场驱动下的双带紧束缚模型,研究了噪声对超晶格中电子输运性质的影响.数值结果表明,外部噪声能够破坏瞬时电流的周期性并且能够削减长时平均电流的峰值.随着噪声强度的增加,平均电流峰的高度降低,宽度增加;当增大噪声的衰...
关键词：双带模型 外部噪声 输运 超晶格 电子输运性质 紧束缚模型 噪声强度 超晶格 平均电流 电场驱动 数值结果 瞬时电流 衰减常数 
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