谐波混频器

作品数:115被引量:151H指数:7
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基于InP HEMT的太赫兹分谐波混频器芯片设计
《半导体技术》2024年第2期151-157,共7页何锐聪 王亚冰 何美林 胡志富 
基于70 nm InP高电子迁移率晶体管(HEMT)工艺,研制了一款175~205 GHz分谐波混频器太赫兹单片集成电路(TMIC)。使用三线耦合Marchand巴伦实现本振信号的平衡-不平衡转换。在射频端口设计了紧凑型耦合线结构的带通滤波器,实现对射频信号...
关键词:INP 高电子迁移率晶体管(HEMT) 太赫兹单片集成电路 分谐波混频器 带通滤波器 Marchand巴伦 
220GHz GaAs单片集成分谐波混频器被引量:3
《半导体技术》2022年第11期886-890,共5页杨大宝 赵向阳 刘波 邢东 冯志红 
基于在30μm厚的GaAs衬底上开发的平面肖特基二极管,设计了220 GHz GaAs单片集成分谐波混频器。考虑了二极管外形结构对电磁波传输的影响,采用场路结合联合仿真的经典方法建立二极管模型来仿真其电性能,并利用这一模型在非线性电路仿真...
关键词:单片集成电路 分谐波混频器 肖特基二极管 建模 变频损耗 
基于GaAs肖特基二极管的220GHz线阵列被动接收前端被引量:1
《半导体技术》2020年第10期748-753,共6页杨大宝 梁士雄 张立森 赵向阳 吕元杰 冯志红 蔡树军 
国家重点研发计划资助项目(2018YFF0109701)。
基于GaAs肖特基二极管,研制了1×4多像素220 GHz线阵列被动接收前端,接收前端的每个接收通道包含一个W波段三倍频器和一个220 GHz分谐波混频器。三倍频器使用两个以串联结构集成4个肖特基结的二极管芯片实现平衡式倍频模式;220 GHz分谐...
关键词:接收前端 GaAs肖特基二极管 分谐波混频器 三倍频器 成像 
Ka波段镜像抑制谐波混频器设计被引量:5
《半导体技术》2012年第12期950-954,共5页黄锦沛 唐宗熙 吴韵秋 张彪 杜倚诚 
针对现代毫米波接收机和雷达系统高抗干扰能力的需求,分析了具有镜像频率抑制能力的谐波混频器的基本原理,提出了一种Ka波段镜像抑制谐波混频器的设计方案。该混频器由两个混频单元组成,利用输出信号的相位关系识别RF信号和镜频信号,RF...
关键词:镜像抑制 谐波混频器 KA波段 变频损耗 驻波比 
超宽带谐波混频器的设计被引量:1
《半导体技术》2012年第2期143-145,共3页连智富 赵红东 吴景峰 袁景中 谷东 
叙述了一种超宽带谐波混频器的原理、设计以及测试结果。该混频器主要由微带线巴伦、倍频器、单平衡混频器三部分组成。按中心频率为4.5 GHz设计出微带线巴伦结构,平衡端口输出相位差180°,具有尺寸小、损耗低、幅度相位一致性好等优点...
关键词:宽带 谐波混频器 巴伦 平衡转换 阶跃恢复二极管 
20GHz镜频抑制谐波混频器被引量:3
《半导体技术》2011年第11期866-870,共5页郭凡玉 唐宗熙 赵世巍 
镜频抑制混频器能有效地抑制镜像频率,提高雷达和通信系统的抗干扰能力。介绍了一个20 GHz二次谐波镜频抑制混频器的设计与制作,该镜频抑制混频器采用两个相同的二次谐波混频器做为两路混频单元,两路射频输入和中频输出分别用90°的功分...
关键词:谐波 镜频抑制 变频损耗 混频器 相位平衡 
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