卢瑟福背散射

作品数：59被引量：66H指数：4
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相关领域：理学电子电信更多>>
相关作者：孟祥艳王雪蓉刘运传刘向东周燕萍更多>>
相关机构：北京大学中国科学院复旦大学四川大学更多>>
相关期刊：《微细加工技术》《南华大学学报（自然科学版）》《原子核物理评论》《功能材料》更多>>
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氧化Au/Ni/p-GaN欧姆接触形成的机理被引量：1
《Journal of Semiconductors》2005年第6期1154-1158,共5页胡成余 秦志新 冯振兴 陈志忠 杨华 杨志坚 于彤军 胡晓东 姚淑德 张国义 
国家高技术研究发展计划(批准号:8632001AA313110;2001AA313060和2001AA313140);北京市科技项目(批准号:H030430020230);国家自然科学基金(批准号:60276010;60276034;60406007;60476028)资助项目~~
用卢瑟福背散射(RBS)和同步辐射X射线衍射(XRD)研究了p-GaN上的Ni/Au电极在空气下不同温度合金后的微结构的演化,并揭示这种接触结构的欧姆接触形成机制.研究不同温度下比接触电阻(ρc)的变化,发现从450℃开始Au扩散到GaN的表面在p-GaN...
关键词：p型氮化镓 镍/金 比接触电阻 同步辐射 卢瑟福背散射 
AlGaN中的应变状态
《Journal of Semiconductors》2005年第z1期1-4,共4页张纪才 王建峰 王玉田 杨辉 
国家自然科学基金(批准号:69825107),国家自然科学基金及香港研究资助局联合基金(批准号:5001161953,N-HKU028/00)资助项目
用X射线衍射和卢瑟福背散射方法研究了生长在GaN上厚度为570nm的AlxGa1-xN外延层中的应变状态.实验结果显示AlGaN的共格因子在组分小于0.42时随组分的增加而近似线性减小,并且在0.42时达到30%,此后随组分的增加变化较慢,在x=1(AlN)时接...
关键词：三轴晶X射线衍射 ALGAN 共格因子 应变 卢瑟福背散射 
中子辐照GaAs的沟道卢瑟福背散射研究被引量：1
《Journal of Semiconductors》1998年第9期672-677,共6页刘键 王佩璇 柯俊 朱沛然 扬峰 殷士端 
用沟道ＲＢＳ方法研究了中子辐照ＧａＡｓ的缺陷在快速退火过程中的恢复行为．结果表明，在１０１４～１０１７／ｃｍ２范围内离位原子浓度近似按辐照剂量量级的平方关系增长．中子辐照效应对ψ１／２没有影响．经一定剂量辐照后，退火...
关键词：砷化镓 中子辐照 沟道RBS法 
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