Γ辐照

作品数:398被引量:1181H指数:15
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高速InGaAs光电探测器γ辐照实验研究被引量:3
《半导体光电》2018年第4期486-489,共4页樊鹏 付倩 申志辉 唐艳 柳聪 崔大建 
高速InGaAs光电探测器在天基平台中的应用正逐渐广泛,研究空间辐射环境对高速InGaAs光电探测器性能的影响有着重要意义。采用实时测试法,研究了不同剂量及不同剂量率的γ辐照对高速InGaAs光电探测器响应度、3dB带宽及暗电流特性的影响,...
关键词:高速InGaAs探测器 Γ辐照 在线测试 
短波红外In_(0.53)Ga_(0.47)As探测器的实时γ辐照研究被引量:2
《半导体光电》2015年第6期901-904,共4页黄星 李雪 李淘 唐恒敬 邵秀梅 龚海梅 
国家"973"计划项目(2012CB619200);国家自然科学基金项目(61205105;61376052)
空间应用短波红外InGaAs探测器的性能不断提高,对辐照损伤越来越敏感。通过实时测试的方法,研究了不同剂量和不同剂量率的γ辐照对晶格匹配In0.53Ga0..47As探测器电流-电压特性的影响。发现在反向偏压下,辐照在器件中引起的光电流约为2n...
关键词:红外探测器 铟镓砷 空间应用 Γ辐照 暗电流 
γ辐照对1024×1152可见光CCD的影响研究被引量:3
《半导体光电》2010年第6期846-848,853,共4页钟玉杰 周玉红 雷仁方 汪朝敏 李睿智 王小强 
通过对不同剂量γ辐照前后CCD的暗电流、转移效率、饱和输出电压等参数变化的分析,发现辐照后器件暗电流的增加主要是辐照后栅氧化层中产生的感生界面态电荷和场氧化层中产生大量的复合中心引起;转移效率下降主要是辐照后栅氧化层中产...
关键词:CCD 辐照 界面态 缺陷 
AlGaN肖特基紫外探测器的γ辐照效应被引量:1
《半导体光电》2008年第1期20-22,40,共4页白云 李雪 张燕 龚海梅 
对AlGaN肖特基紫外探测器件用不同剂量的γ射线进行辐照,测量了器件辐照前后的电流-电压特性、电容-频率曲线和响应光谱曲线的变化。实验发现γ辐照对器件的暗电流没有产生大的影响,但大剂量的辐照有使肖特基势垒高度降低的趋势。同时...
关键词:Γ辐照 ALGAN 肖特基势垒 
光纤γ辐照损耗效应及缺陷机制的研究
《半导体光电》1991年第1期76-81,共6页李宗民 张辰华 汪勇 
本文对三种具有代表性的国产光纤的γ辐照感生损耗效应进行了研究,得出在0.85μm 波长感生损耗随辐照剂量变化的规律。利用电子自旋共振(ESR)技术对辐照光纤的缺陷进行了研究,并对缺陷形成的过程和机制进行了分析和讨论。
关键词:光纤 γ辐照感生损耗 电子自旋共振 缺陷机制 
γ辐照对光纤带宽影响的研究
《半导体光电》1991年第1期82-85,共4页张辰华 胡浩 李宗民 
本文对多模梯度光纤的γ辐照带宽变化进行了研究,对光纤辐照带宽减小的原因进行了分析和讨论。对本文结果与参考文献的结果进行了比较和讨论。
关键词:光纤 Γ辐照 带宽 多模梯度 
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