暗电流

作品数：437被引量：969H指数：13
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12.5μm碲镉汞探测器工作温度对输出电平的影响被引量：2
《红外》2020年第9期20-24,共5页王亮 刘建伟 吴卿 
12.5μm碲镉汞探测器的输出电平对工作温度非常敏感,因此需要对其温度敏感度进行研究。试验中,通过调节探测器的工作温度来采集其输出电平,并对数据进行分析。结果表明,工作波长和暗电流随温度变化是导致输出电平变化的主要因素;12.5μ...
关键词：碲镉汞 截止波长 暗电流 工作温度 
12.5μm碲镉汞长波红外探测器暗电流研究被引量：2
《红外》2019年第12期10-14,共5页祁娇娇 马涛 宁提 王成刚 于小兵 
随着红外探测器技术的发展,延长探测器的工作波长成为重要的发展方向之一。由于工作波长随x值的变化而带隙可调,碲镉汞材料得到了广泛应用。随着波长增长,暗电流成为限制红外探测器发展的主要因素。以12.5μm碲镉汞长波红外探测器为例,...
关键词：碲镉汞 红外探测器 暗电流 
nBn型InAsSb探测器的材料及器件研究被引量：2
《红外》2019年第11期7-12,共6页周朋 温涛 邢伟荣 刘铭 
nBn型红外探测器可有效抑制产生-复合电流,进而提高探测器的工作温度。由于制备工艺可移植于Ⅲ/Ⅴ族成熟工艺以及存在晶格完全匹配的衬底等优势,InAsSb/AlAsSb材料是nBn型红外探测器的首选。简单介绍了InAsSb/AlAsSb nBn型红外探测器的...
关键词：nBn结构 INASSB 高工作温度 暗电流 
红外焦平面探测器的暗电流测试分析及性能研究被引量：4
《红外》2019年第11期23-28,共6页王晓龙 李冬冰 张兴胜 
针对碲镉汞红外焦平面探测器,研究了两种暗电流测试方法。降低暗电流直接关系到探测器的信噪比。对所研制的碲镉汞光伏探测器在工作条件下的暗电流大小进行了测试分析。通过对比多组测试结果发现,工作温度及工艺对暗电流具有不同程度的...
关键词：红外探测器 焦平面阵列 暗电流 碲镉汞 
长波碲镉汞探测器工作温度对输出图像的影响被引量：4
《红外》2019年第9期12-17,共6页张小倩 王亮 
为分析长波碲镉汞探测器在高低温环境下盲元增加的问题,通过试验对长波碲镉汞探测器组件进行测试,并观察输出图像。可以发现,改变环境温度后,经探测器校正的所得图像发生变化。分析原因并对其进行了试验验证。结果表明,环境温度会影响...
关键词：碲镉汞 环境温度 盲元 暗电流 
德国AIM公司正在研制低暗电流二维碲镉汞红外探测器
《红外》2017年第6期46-47,共2页岳桢干 
在欧洲空间局（ESA）技术研究项目（TRP）的资助下,德国AIM公司正在研制低暗电流二维（甚）长波红外碲镉汞探测器（见图1）。该项目为期两年（2016~2017）,目前的技术成熟度（TRL）为4级。碲镉汞（MCT）是最重要的红外探测材料之一。因...
关键词：碲镉汞 AIM 暗电流 红外探测器 长波红外 焦平面阵列 平面型 工作温度 探测率 截止波长 
论碲镉汞光电二极管的暗电流(下)被引量：4
《红外》2012年第9期6-13,45,共9页王忆锋 毛京湘 刘黎明 王丹琳 
对于工作在1～30μm波段的各种红外光电探测器来说,碲镉汞(MercuryCadmiumTelluride,MCT)已经成为最重要的一种半导体材料。为了获得最优的性能,MCT探测器的暗电流必须降至最小。主要根据近年来的部分英文文献,从基本概念入手,介绍了有...
关键词：碲镉汞 光电二极管 红外探测器 暗电流 
论碲镉汞光电二极管的暗电流(上)被引量：3
《红外》2012年第8期1-8,共8页王忆锋 毛京湘 刘黎明 王丹琳 
对于工作在1～30μm波段的各种红外光电探测器来说,碲镉汞(MercuryCadmium Telluride,MCT)已经成为最重要的一种半导体材料。为了获得最优的性能,MCT探测器的暗电流必须降至最小。主要根据近年来的部分英文文献,从基本概念入手,介绍了有...
关键词：碲镉汞 光电二极管 红外探测器 暗电流 
美国喷气推进实验室研制出与通用读出集成电路兼容的n-B-pi-p超晶格红外探测器
《红外》2011年第5期13-13,共1页高国龙 
据www.techbriefs.com网站报道,美国喷气推进实验室最近通过在标准的n-pi-p结构的n-pi结处插入一个专门设计的势垒（B）,研制出一种可大大减少产生-复合暗电流的n-B-pi-p超晶格红外探测器。这种新型n-B-pi-p超晶格红外探测器还减少了隧...
关键词：美国喷气推进实验室 红外探测器 超晶格 读出集成电路 实验室研制 兼容 通用 暗电流 
硅基锗PIN红外探测器的数值模拟研究
《红外》2009年第11期35-39,共5页徐敏杰 魏莹 蔡雪原 杨建红 
本文基于漂移扩散模型,对硅基锗PIN红外探测器的电流特性随应变、Ge吸收层厚度、吸收层掺杂浓度的变化进行了数值模拟,并给出了一种器件优化设计方案。研究结果表明,当Ge应变从0增加到0.3%时,器件的暗电流增大了约50%;当Ge吸收层厚度从1...
关键词：红外探测器 PIN 硅锗 暗电流 应变 
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