半导体断路开关

作品数：28被引量：83H指数：6
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半导体断路开关(SOS)特性研究被引量：2
《微电子学与计算机》2004年第12期214-216,共3页屠荆 罗晋生 杨荣 韩志宇 白树春 
本文描述了半导体断路开关(SOS)的制作及性能测试。制作方法采用普通二极管类似的扩散工艺,但其制作工艺的关键在于深结的扩散。在pn结足够深时才能产生SOS效应。描述了制作过程并采用脉冲电路测试了所研制的SOS器件的电学性能。测试结...
关键词：半导体 断路开关 制作 测试 
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